Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2016092822 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE DU GROUPE III

Numéro de publication WO/2016/092822
Date de publication 16.06.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2015/006099
Date du dépôt international 08.12.2015
CIB
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 藤田 武彦 FUJITA, Takehiko
  • 渡邉 康弘 WATANABE, Yasuhiro
Mandataires
  • 杉村 憲司 SUGIMURA, Kenji
Données relatives à la priorité
2014-24829108.12.2014JP
2015-23885907.12.2015JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体発光素子の製造方法
Abrégé
(EN)
A method of manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting element having improved service life is provided. This method is for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting element which comprises, in order, an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer 40 of a quantum well structure comprising a well layer containing at least Al and a barrier layer, and a p-type semiconductor layer 150. The method is characterized in that a step for forming the p-type semiconductor layer 150 involves an electron blocking layer forming step for forming, on the light emitting layer 40, an electron blocking layer 51 having a composition with more Al than that of the barrier layer 42, a nitrogen carrier gas supply step for supplying, onto the surface of the electron blocking layer 51, at least a carrier gas having nitrogen as the main component, and a second p-type contact forming step, to be carried out after the nitrogen carrier gas supply step, for forming a second p-type contact layer 55 comprising AlyGa1-yN (0 ≦ y ≦ 0.1) on the electron blocking layer 51, wherein the second p-type contact forming step is carried out using a carrier gas having hydrogen as the main component.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III présentant une meilleure durée de vie. Ce procédé est destiné à la fabrication d'un élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure du groupe III qui comprend, dans l'ordre, une couche semi-conductrice de type n, une couche électroluminescente (40) d'une structure de puits quantique comprenant une couche de puits contenant au moins de l'Al et une couche barrière, et une couche semi-conductrice de type p (150). Le procédé est caractérisé en ce qu'une étape consistant à former la couche semi-conductrice de type p (150) implique une étape de formation de couche de blocage d'électrons pour former, sur la couche électroluminescente (40), une couche de blocage d'électrons (51) présentant une composition contenant plus d'Al que celle de la couche barrière (42), une étape d'alimentation en gaz azote porteur, sur la surface de la couche de blocage d'électrons (51), au moins un gaz porteur comportant de l'azote en tant que composant principal, et une seconde étape de formation de contact de type p, à mettre en œuvre après l'étape d'alimentation en gaz azote porteur, pour former une seconde couche de contact de type p (55) comprenant AlyGa1-yN (0 ≦ y ≦ 0,1) sur la couche de blocage d'électrons (51), la seconde étape de formation de contact de type p étant mise en œuvre à l'aide d'un gaz porteur renfermant de l'hydrogène en tant que composant principal.
(JA)
 素子の寿命を向上させることができるIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提案する。n型半導体層と、少なくともAlを含む井戸層と障壁層とを有する量子井戸構造の発光層40と、p型半導体層150とをこの順に備えるIII族窒化物半導体発光素子1を製造する方法において、p型半導体層150を形成する工程は、発光層40の上に障壁層42よりAl組成の大きい電子ブロック層51を形成する電子ブロック層形成工程と、電子ブロック層51の表面上に、窒素を主成分とするキャリアガスを少なくとも供給する窒素キャリアガス供給工程と、窒素キャリアガス供給工程後に、電子ブロック層51の上にAlyGa1-yN(0≦y≦0.1)からなる第2のp型コンタクト層55を形成する第2p型コンタクト形成工程とを有し、第2p型コンタクト形成工程は、水素を主成分とするキャリアガスを用いて行うことを特徴とする。
Également publié en tant que
CN201580067006.3
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international