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1. WO2016063495 - DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES ÉLÉVATIONS DE TEMPÉRATURE

Numéro de publication WO/2016/063495
Date de publication 28.04.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2015/005182
Date du dépôt international 13.10.2015
CIB
H03K 17/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
H02M 1/00 2007.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1Détails d'appareils pour transformation
H03K 17/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
CPC
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
H02M 1/32
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
32Means for protecting converters other than automatic disconnection
H02M 2001/327
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
32Means for protecting converters other than automatic disconnection
327against abnormal temperatures
H03K 17/0822
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0822in field-effect transistor switches
H03K 17/284
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
28Modifications for introducing a time delay before switching
284in field effect transistor switches
Déposants
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 川本 一平 KAWAMOTO, Ippei
Mandataires
  • 金 順姫 KIN, Junhi
Données relatives à la priorité
2014-21572322.10.2014JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TEMPERATURE PROTECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES ÉLÉVATIONS DE TEMPÉRATURE
(JA) 温度保護装置
Abrégé
(EN)
A temperature protection device of the present invention is provided with temperature detection devices (15, 18) for detecting the temperatures of respective switching elements (14, 17), and control devices (20-36, 40-55, 60-69, 70-76, 86-99) for controlling the switching elements. The control devices stop driving of any first switching element, from among a plurality of the switching elements, when the temperature of the first switching element rises to an overheat detection temperature, and resumes driving of the first switching element when the temperature lowers to a return temperature. The control devices control the timing for resuming driving of the first switching element such that a drive stop time, from when driving is stopped due to overheating until when driving is resumed, is longer in a case where, at a point in time where the temperature of the first switching element reaches the overheat detection temperature, at least one of the switching elements excluding the first switching element is in a high-load state with a higher load than a low-load state, than a case where all of the switching elements excluding the first switching element are in a low-load state.
(FR)
La présente invention porte sur un dispositif de protection contre les élévations de température qui comprend des dispositifs de détection de température (15, 18) permettant de détecter les températures respectives d'éléments de commutation (14, 17), et des dispositifs de commande (20-36, 40-55, 60-69, 70-76, 86-99) servant à commander les éléments de commutation. Les dispositifs de commande arrêtent de piloter un quelconque premier élément de commutation d'une pluralité desdits éléments de commutation lorsque la température de ce premier élément de commutation s'élève jusqu'à atteindre une température de détection de surchauffe, et recommencent à piloter le premier élément de commutation lorsque sa température s'abaisse jusqu'à atteindre une température de retour. Les dispositifs de commande commandent la synchronisation de la reprise du pilotage du premier élément de commutation de telle sorte qu'un temps d'arrêt de pilotage, commençant au moment où le pilotage s'arrête en raison d'une surchauffe et se terminant au moment où le pilotage reprend, soit plus long dans un cas où, lorsque la température du premier élément de commutation atteint la température de détection de surchauffe, au moins un des éléments de commutation, à l'exclusion du premier élément de commutation, est dans un état de forte charge, dont la charge est supérieure à celle d'un état de faible charge, par rapport à un cas où tous les éléments de commutation, à l'exclusion du premier élément de commutation, sont dans un état de faible charge.
(JA)
 温度保護装置は、各スイッチング素子(14,17)の温度を検出する温度検出装置(15,18)と、各スイッチング素子を制御する制御装置(20~36,40~55,60~69、70~76,86~99)と、を備える。制御装置は、複数のスイッチング素子のうち、任意の第1スイッチング素子の温度が、過熱検出温度まで上昇すると第1スイッチング素子の駆動を停止させ、復帰温度まで低下すると第1スイッチング素子の駆動を再開させる。制御装置は、第1スイッチング素子の温度が過熱検出温度に達した時点で、第1スイッチング素子を除くスイッチング素子の少なくとも1つが低負荷状態よりも高負荷の高負荷状態の場合、第1スイッチング素子を除くすべてのスイッチング素子が低負荷状態の場合よりも、過熱による駆動停止から駆動再開までの駆動停止時間が長くなるように、第1スイッチング素子の駆動再開のタイミングを制御する。
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