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1. WO2016056862 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À COUCHES MINCES PAR UTILISATION D'UN APPAREIL DE GÉNÉRATION DE FAISCEAU DE PARTICULES NEUTRES

Numéro de publication WO/2016/056862
Date de publication 14.04.2016
N° de la demande internationale PCT/KR2015/010671
Date du dépôt international 08.10.2015
CIB
H01L 21/425 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
42Bombardement par des radiations
423par des radiations d'énergie élevée
425produisant une implantation d'ions
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/8247 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
8247programmables électriquement (EPROM)
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
CPC
H01L 21/263
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
H01L 21/425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
34the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L21/0405, H01L21/0445; , H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
42Bombardment with radiation
423with high-energy radiation
425producing ion implantation
H01L 27/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
H01L 29/40117
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
401Multistep manufacturing processes
4011for data storage electrodes
40117the electrodes comprising a charge-trapping insulator
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Déposants
  • 고려대학교 산학협력단 KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 홍문표 HONG, Mun Pyo
  • 장진녕 JANG, Jin Nyeong
Mandataires
  • 특허법인 플러스 PLUS INTERNATIONAL IP LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2014-013693110.10.2014KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY THIN FILM DEVICE BY USING NEUTRAL PARTICLE BEAM GENERATION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À COUCHES MINCES PAR UTILISATION D'UN APPAREIL DE GÉNÉRATION DE FAISCEAU DE PARTICULES NEUTRES
(KO) 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법
Abrégé
(EN)
A method for manufacturing a nonvolatile memory thin film device by using a neutral particle beam generation apparatus is disclosed. The present invention relates to a method for manufacturing a nonvolatile memory thin film device by using a neutral particle beam generating apparatus comprising a chamber, which is a plasma discharge space and has a predetermined size, a gas supply port for supplying gas to the inside of the chamber, and a reflector colliding with plasma ions generated in the chamber so as to convert the plasma ions into neutral particles, and the method comprises the steps of: arranging, inside of the chamber, a substrate on which a first insulating film is formed; supplying, to the inside of the chamber, hydrogen gas for generating hydrogen plasma and inert gas for generating plasma through the gas supply port; converting hydrogen plasma ions generated in the chamber into hydrogen neutral particles by colliding the hydrogen plasma ions with the reflector; forming a mobile proton layer by accumulating the hydrogen neutral particles on the surface of the first insulating film; and forming a second insulating film on the mobile proton layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire non volatile à couches minces par utilisation d'un appareil de génération de faisceau de particules neutres. La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire non volatile à couches minces, par utilisation d'un appareil de génération de faisceau de particules neutres qui comporte une chambre, qui est un espace de décharge de plasma et présente une taille prédéterminée, un orifice d'alimentation en gaz pour amener du gaz à l'intérieur de la chambre, et un réflecteur entrant en collision avec des ions de plasma générés dans la chambre de manière à convertir les ions de plasma en particules neutres, le procédé comprenant les étapes consistant : à agencer, à l'intérieur de la chambre, un substrat sur lequel un premier film isolant est formé ; à amener, à l'intérieur de la chambre, de l'hydrogène gazeux pour générer un plasma d'hydrogène et un gaz inerte pour générer un plasma par l'intermédiaire de l'orifice d'alimentation en gaz ; à convertir des ions de plasma d'hydrogène générés dans la chambre en particules neutres d'hydrogène par collision des ions de plasma d'hydrogène avec le réflecteur ; à former une couche de protons mobiles par accumulation des particules neutres d'hydrogène sur la surface du premier film isolant ; à former un second film isolant sur la couche de protons mobiles.
(KO)
중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 플라즈마 방전 공간인 소정 크기의 챔버, 상기 챔버 내 가스를 공급하는 가스 공급구, 및 상기 챔버에서 생성된 플라즈마 이온과 충돌하여 플라즈마 이온을 중성입자로 변환시키는 리플렉터를 포함하는 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 소자를 제조하는 방법으로서, 상기 챔버 내에, 제1 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계; 상기 챔버 내에, 상기 가스 공급구를 통해 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스 및 플라즈마 발생을 위한 불활성 가스를 공급하는 단계; 상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 상기 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계; 상기 수소 중성입자가 상기 제1 절연막의 표면에 축적되어 모바일 프로톤 층이 형성되는 단계; 및 상기 모바일 프로톤 층 위에 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
Également publié en tant que
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