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1. WO2016056281 - RÉSONATEUR, DISPOSITIF OPTIQUE DE COMPENSATION DE DISPERSION, ENSEMBLE DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DE L'INCIDENCE D'UNE LUMIÈRE INCIDENTE SUR UN RÉSONATEUR

Lien permanent
Numéro de publication WO/2016/056281
Date de publication 14.04.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2015/069669
Date du dépôt international 08.07.2015
CIB
G02B 5/28 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5Eléments optiques autres que les lentilles
20Filtres
28Filtres d'interférence
G02F 1/01 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
H01S 5/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
065Accrochage de modes; Suppression de modes; Sélection de modes
H01S 5/343 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
343dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
CPC
G02B 5/28
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
20Filters
28Interference filters
H01S 5/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; ; Self pulsating
H01S 5/343
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
Déposants
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 河野　俊介 KONO Shunsuke
  • 倉本　大 KURAMOTO Masaru
  • 宮嶋　孝夫 MIYAJIMA Takao
  • 幸田　倫太郎 KODA Rintaro
  • 渡邊　秀輝 WATANABE Hideki
Mandataires
  • 山本　孝久 YAMAMOTO Takahisa
Données relatives à la priorité
2014-20886810.10.2014JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESONATOR, DISPERSION-COMPENSATING OPTICAL DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER DEVICE ASSEMBLY, AND METHOD FOR ADJUSTING INCIDENCE OF INCIDENT LIGHT ON RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR, DISPOSITIF OPTIQUE DE COMPENSATION DE DISPERSION, ENSEMBLE DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DE L'INCIDENCE D'UNE LUMIÈRE INCIDENTE SUR UN RÉSONATEUR
(JA) 共振器、分散補償光学装置、半導体レーザ装置組立体、及び、共振器へ入射する光の入射調整方法
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Abrégé
(EN)
This resonator is formed by laminating a first light-reflecting layer 11, a resonant layer 13, and a second light-reflecting layer 12, wherein light enters the first light-reflecting layer 11 and exits from the first light-reflecting layer 11, and R12 and T>0 are satisfied, where R1 is the intensity reflectance of the first light-reflecting layer 11, R2 is the intensity reflectance of the second light-reflecting layer 12, and T is the intensity transmittance of light transmitted through the resonator.
(FR)
La présente invention a trait à un résonateur qui est formé par stratification d'une première couche réfléchissant la lumière (11), d'une couche de résonance (13) et d'une seconde couche réfléchissant la lumière (12). La lumière arrive sur la première couche réfléchissant la lumière (11) et est émise à partir de cette première couche réfléchissant la lumière (11), et les conditions R1 < R2 et T > 0 sont satisfaites, R1 représentant le facteur de réflexion d'intensité de la première couche réfléchissant la lumière (11), R2 représentant le facteur de réflexion d'intensité de la seconde couche réfléchissant la lumière (12), et T représentant le facteur de transmission d'intensité de la lumière transmise à travers le résonateur.
(JA)
共振器は、第１の光反射層１１、共振層１３及び第２の光反射層１２が積層されて成り、光が、第１の光反射層１１に入射され、且つ、第１の光反射層１１から出射され、第１の光反射層１１の強度反射率をＲ1、第２の光反射層１２の強度反射率をＲ2、共振器を透過する強度透過率をＴとしたとき、Ｒ1＜Ｒ2，Ｔ＞０を満足する。
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