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1. WO2016050584 - DÉPLOIEMENT À BASE DE RÈGLES DE CARACTÉRISTIQUES D'ASSISTANCE

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Numéro de publication WO/2016/050584
Date de publication 07.04.2016
N° de la demande internationale PCT/EP2015/071861
Date du dépôt international 23.09.2015
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 1/36 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
36Masques à correction d'effets de proximité; Leur préparation, p.ex. procédés de conception à correction d'effets de proximité
CPC
G03F 1/36
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
G03F 7/70125
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
G03F 7/70383
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70375Imaging systems not otherwise provided for, e.g. multiphoton lithography; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation, systems comprising mask with photo-cathode
70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
G03F 7/70441
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
70441Optical proximity correction
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • HSU, Duan-Fu, Stephen
  • WAMPLER, Kurt, E.
Mandataires
  • PETERS, John
Données relatives à la priorité
62/059,03602.10.2014US
62/219,44216.09.2015US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) RULE-BASED DEPLOYMENT OF ASSIST FEATURES
(FR) DÉPLOIEMENT À BASE DE RÈGLES DE CARACTÉRISTIQUES D'ASSISTANCE
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Abrégé
(EN)
Disclosed herein are several methods of reducing one or more pattern displacement errors, contrast loss, best focus shift, tilt of a Bossung curve of a portion of a design layout used in a patterning process for imaging that portion onto a substrate using a lithographic apparatus. The methods include determining or adjusting one or more characteristics of one or more assist features using the one or more rules based on one or more parameters selected from a group consisting of: one or more characteristics of one or more design features in the portion, one or more characteristics of the patterning process, one or more characteristics of the lithographic apparatus, and/or a combination selected from the foregoing.
(FR)
L'invention concerne plusieurs procédés permettant de réduire une ou plusieurs erreurs de déplacement de motif, une perte de contraste, un meilleur décalage de focalisation, l'inclinaison d'une courbe de Bossung d'une partie d'une disposition de conception utilisée dans un processus de formation de motifs pour former l'image de cette partie sur un substrat à l'aide d'un appareil lithographique. Les procédés consistent à déterminer ou à ajuster une ou plusieurs caractéristiques d'une ou de plusieurs caractéristiques d'assistance à l'aide d'une ou de plusieurs règles en se basant sur un ou plusieurs paramètres choisis dans un groupe consistant en : une ou plusieurs caractéristiques d'une ou de plusieurs caractéristiques de conception dans la partie, une ou plusieurs caractéristiques du processus de formation de motifs, une ou plusieurs caractéristiques de l'appareil lithographique, et/ou une combinaison de n'importe lesquelles des caractéristiques ci-dessus.
Également publié en tant que
CN107111237
KR1020170063909
KR1020200023532
US20170329235
US20190294053
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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