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1. (WO2016047050) STRUCTURE DE MASQUAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/047050    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/004429
Date de publication : 31.03.2016 Date de dépôt international : 31.08.2015
CIB :
B01J 19/00 (2006.01), G01S 7/38 (2006.01), G02F 1/00 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : OHTSU, Akihiko; (JP).
YASUDA, Hideki; (JP)
Mandataire : YANAGIDA, Masashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-192386 22.09.2014 JP
Titre (EN) ELECTROMAGNETIC CLOAKING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) STRUCTURE DE MASQUAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電磁波クローキング構造体およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a feasible transmission-type cloaking structure and manufacturing method for the same. [Solution] In the present invention, an entire medium that contains a host medium and constitutes an electromagnetic cloaking structure (1) has an isotropic refractive index, and when an average refractive index is obtained by averaging a maximum and a minimum in the refractive index distribution, the refractive index distribution includes: a high refractive index region (4) in which the refractive index is at a maximum at the plane sides around a concealment space (2) that enclose the concealment space, and becomes gradually smaller along radial lines that pass from the center of the concealment space through the planes, so as to become closer to the average refractive index; and low refractive index regions (5), which have two minimums that are atop one or two different virtual light axes passing through the concealment space (2) and that have therebetween the concealment space (2) and the high refractive index region (4), and the low refractive index regions (5) also have relatively low refractive indexes that grow gradually larger in the respective directions opposite the high refractive index region (4) atop the virtual light axes from the locations of the two minimums, so as to approach the average refractive index.
(FR)L'invention concerne une structure de masquage de type transmission réalisable et son procédé de fabrication. La présente invention concerne un milieu entier qui contient un milieu hôte et constitue une structure de masquage électromagnétique (1) qui a un indice de réfraction isotrope, et lorsqu'un indice de réfraction moyen est obtenu à partir de la moyenne d'un maximum et d'un minimum dans une distribution d'indice de réfraction, comme la distribution d'indice de réfraction, les côtés plans autour d'un espace de dissimulation (2) qui renferment l'espace de dissimulation, constituent le maximum. La présente invention comprend une région à indice de réfraction élevé (4), qui a un indice de réfraction qui diminue graduellement le long de lignes radiales qui passent du centre de l'espace de dissimulation à travers les plans, de manière à se rapprocher de l'indice de réfraction moyen, et la présente invention comprend également des régions d'indice de réfraction faible (5), qui ont deux minimums qui sont au-dessus d'un ou de deux axes différents de lumière virtuels traversant l'espace de dissimulation (2) et qui comprennent entre eux l'espace de dissimulation (2) et la région à indice de réfraction élevé (4), et les régions à indice de réfraction faible (5) ont également des indices de réfraction relativement faibles qui croissent progressivement dans les directions respectives opposées à la région à indice de réfraction élevé (4) au-dessus des axes de lumière virtuels depuis les emplacements des deux minimums, de manière à se rapprocher de l'indice de réfraction moyen.
(JA)【課題】実現可能な透過型のクローキング構造体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】電磁波クローキング構造体(1)を構成する、母体媒質を含む全体の媒質自体は等方的な屈折率を有するものとし、屈折率分布における最大値と最小値との平均を平均屈折率としたとき、該屈折率分布として、隠蔽空間(2)の周りに隠蔽空間を囲う面側が最大値であり、隠蔽空間の重心から面を通る放射状の線に沿って前記平均屈折率に近づくように徐々に小さくなる屈折率を有する高屈折率領域(4)と、隠蔽空間(2)を通る1つ、もしくは異なる2つの仮想光軸上の、隠蔽空間(2)および高屈折率領域(4)を間に挟む2点に最小値を持ち、その2点からそれぞれが位置する仮想光軸上の高屈折率領域(4)と反対の向きに、平均屈折率に近づくように徐々に大きくなる相対的に低い屈折率を有する低屈折率領域(5)を有するものとする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)