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1. (WO2016042903) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/042903    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070198
Date de publication : 24.03.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
H01L 23/473 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), H01L 23/40 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : KATO Ryoichi; (JP).
YAMADA Takafumi; (JP).
GOHARA Hiromichi; (JP)
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-189208 17.09.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
Abrégé : front page image
(EN) The present invention is provided with: an insulated circuit board 13 provided with a circuit layer 3 on the obverse surface of a substrate 4 and a metal layer 5 on the reverse surface of the substrate 4; a semiconductor element 1 electrically connected to the circuit layer 3; a cooler 11 provided with a top plate part 11a having a flat surface joined to the metal layer 5, a bottom plate part 11c arranged so as to face the top plate part 11a, a side wall part 11b connecting the periphery of the top plate part 11a and the periphery of the bottom plate part 11c, and a fin part 11d connecting the top plate part 11a and the bottom plate part 11c, the thickness of the top plate part 11a being 0.5-2.0 mm, and the total thickness of the top plate part 11a and the bottom plate part 11c being 3-6 mm; and a solder layer 6 that melts at a temperature of 200-350°C and joins the top plate part 11a and the metal layer 5.
(FR) La présente invention comprend : une carte de circuit imprimé isolée (13) pourvue d'une couche de circuit (3) sur le recto d'un substrat (4) et d'une couche de métal (5) sur le verso du substrat (4) ; un élément semi-conducteur (1) électriquement connecté à la couche de circuit (3) ; un refroidisseur (11) pourvu d'une partie plaque supérieure (11a) présentant une surface plate jointe à la couche de métal (5), d'une partie plaque inférieure (11c) disposée de manière à faire face à la partie plaque supérieure (11a), d'une partie paroi latérale (11b) reliant la périphérie de la partie plaque supérieure (11a) et la périphérie de la partie plaque inférieure (11c), et d'une partie ailette (11d) reliant la partie plaque supérieure (11a) et la partie plaque inférieure (11c), l'épaisseur de la partie plaque supérieure (11a) étant de 0,5 à 2,0 mm, et l'épaisseur totale de la partie plaque supérieure (11a) et de la partie plaque inférieure (11c) étant de 3 à 6 mm ; et une couche de soudure (6) qui fond à une température de 200 à 350 °C et joint la partie plaque supérieure (11a) et la couche de métal (5).
(JA) 基板4のおもて面に回路層3、基板4の裏面に金属層5を備えた絶縁回路基板13と、回路層3に電気的に接続された半導体素子1と、金属層5に接合される平面を持った天板部11a、天板部11aと対向して配置された底板部11c、天板部11aの周囲と底板部11cの周囲を接続する側壁部11b、および、天板部11aと底板部11cとを接続するフィン部11dを備え、天板部11aの厚さが0.5mm以上2.0mm以下であり、かつ、天板部11aと底板部11cの合計厚さが、3mm以上6mm以下である冷却器11と、200℃以上350℃以下の温度で溶融し天板部11aと金属層5とを接合させる半田層6を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)