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1. (WO2016039026) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/039026    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/071104
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 24.07.2015
CIB :
H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : FUJITA, Shigeyuki; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-183204 09.09.2014 JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
(JA) 弾性表面波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a surface acoustic wave device by which insertion loss is further reduced and out-of-band attenuation is sufficiently large. A surface acoustic wave device 1 is provided with a piezoelectric substrate 2 and an IDT electrode 3 that is provided on the piezoelectric substrate 2. The IDT electrode 3 has first and second busbars 3a1, 3b1, and a plurality of first and second electrode fingers 3a2, 3b2 respectively having one end thereof connected to the first and second busbars 3a1, 3b1. The IDT electrode 3 further has gaps A between the first electrode fingers 3a2 and the second electrode fingers 3b2, which are adjacent to each other in the surface acoustic wave propagation direction of the IDT electrode 3. The surface acoustic wave device 1 is further provided with a protrusion 4 made of an insulator, the protrusion 4 being provided in at least one of the plurality of gaps A, the protrusion 4 not contacting the plurality of first and second electrode fingers 3a2, 3b2 or the first and second busbars 3a1, 3b1.
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface grâce auquel la perte d'insertion est encore réduite et l'atténuation hors-bande est suffisamment importante. Un dispositif à ondes acoustiques de surface 1 est pourvu d'un substrat piézo-électrique 2 et d'une électrode IDT 3 qui est disposée sur le substrat piézo-électrique 2. L'électrode IDT 3 a des première et seconde barres omnibus 3a1, 3b1, et une pluralité de premiers et de seconds doigts d'électrode 3a2, 3b2 ayant respectivement une extrémité connectée aux première et seconde barres omnibus 3a1, 3b1. L'électrode IDT 3 présente en outre des espaces A entre les premiers doigts d'électrode 3a2 et les seconds doigts d'électrode 3b2, qui sont adjacents les uns aux autres dans la direction de propagation d'ondes acoustiques de surface de l'électrode IDT 3. Le dispositif à ondes acoustiques de surface 1 est en outre pourvu d'une protubérance 4 constituée d'un isolant, la protubérance 4 étant prévue dans au moins l'un de la pluralité d'espaces A, la protubérance 4 n'étant pas en contact avec la pluralité de premiers et de seconds doigts d'électrode 3a2, 3b2 ou les première et seconde barres omnibus 3a1, 3b1.
(JA) 挿入損失がより一層小さく、かつ帯域外減衰量が充分に大きい、弾性表面波装置を提供する。 弾性表面波装置1は、圧電基板2と、圧電基板2上に設けられているIDT電極3とを備える。IDT電極3は、第1,第2のバスバー3a1,3b1と、第1,第2のバスバー3a1,3b1に一方端がそれぞれ接続されている複数本の第1,第2の電極指3a2,3b2とを有する。IDT電極3は、IDT電極3の弾性表面波伝搬方向にそれぞれ隣接している第1の電極指3a2と第2の電極指3b2との間に位置するギャップAをさらに有する。弾性表面波装置1は、複数のギャップAのうちの少なくとも1つに設けられており、複数本の第1,第2の電極指3a2,3b2及び第1,第2のバスバー3a1,3b1に接触しておらず、かつ絶縁体からなる突起4をさらに備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)