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1. (WO2016035417) SUBSTRAT EN OXYDE DE ZINC ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE 13 L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/035417    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067290
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 16.06.2015
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-Cho, Mizuho-Ku, Nagoya-Shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : YOSHIKAWA Jun; (JP).
KURAOKA Yoshitaka; (JP).
NAMERIKAWA Masahiko; (JP).
KONDO Takayuki; (JP).
YOSHINO Takashi; (JP).
NANATAKI Tsutomu; (JP)
Mandataire : TAKAMURA Masaharu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-180659 04.09.2014 JP
2015-060776 24.03.2015 JP
Titre (EN) ZINC OXIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING GROUP 13 NITRIDE CRYSTAL USING SAME
(FR) SUBSTRAT EN OXYDE DE ZINC ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE 13 L'UTILISANT
(JA) 酸化亜鉛基板及びそれを用いた第13族窒化物結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a zinc oxide substrate which contains 0.1% by weight or more of Mg, and which is used for the purpose of growing a group 13 nitride crystal thereon by an MOCVD method. A zinc oxide substrate according to the present invention enables growth of a group 13 nitride crystal having excellent crystallinity on a substrate by an MOCVD method without forming an insulating layer in advance.
(FR)Cette invention concerne un substrat en oxyde de zinc qui contient 0,1 % en poids ou plus de Mg, et qui est utilisé comme support pour faire croître un cristal de nitrure du groupe 13 par un procédé MOCVD. Le substrat en oxyde de zinc selon l'invention permet la croissance d'un cristal de nitrure du groupe 13 ayant une excellente cristallinité sur un substrat par un procédé MOCVD sans former de couche isolante à l'avance.
(JA) Mgを0.1重量%以上含有する酸化亜鉛基板であって、その上にMOCVD法により第13族窒化物結晶を成長させるための基板として用いられる、酸化亜鉛基板が提供される。本発明の酸化亜鉛基板によれば、絶縁性の層を予め形成することなく、MOCVD法により、結晶性に優れた第13族窒化物結晶を基板上に成長させることが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)