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1. (WO2016013334) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE PERMETTANT LA FORMATION D'UN FILM MINCE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013334    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067539
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 18.06.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.11.2015    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C22C 19/07 (2006.01), G11B 5/64 (2006.01), G11B 5/84 (2006.01), C22C 1/04 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : MORISHITA Yuto; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-152003 25.07.2014 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC THIN FILM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE PERMETTANT LA FORMATION D'UN FILM MINCE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a sputtering target which contains an alloy containing Co or Fe and an oxide containing at least Ti and B, and which is characterized in that the average number of oxide particles having an oxide particle area (S) of 10 μm2 or more and a ratio of the particle area (S) to the particle boundary length (L), namely (S)/(L) of 0.35 or more is 0.0015 particle/μm2 or less in the structure of the sputtering target. This sputtering target is capable of suppressing abnormal discharges that could be a cause for the particle generation during sputtering, said abnormal discharges being caused by a non-magnetic material.
(FR)La présente invention porte sur une cible de pulvérisation cathodique qui contient un alliage contenant du Fe et du Co ou un oxyde contenant au moins du Ti et du B et qui est caractérisée en ce que le nombre moyen de particules d'oxyde ayant une surface de particule d'oxyde (S) supérieure ou égale à 10 µm2 et un rapport de la surface de particule (S) à la longueur de la bordure de particule (L), c'est-à-dire (S)/(L), supérieur ou égal à 0,35 est inférieur ou égal à 0,0015 particule/µm2 dans la structure de la cible de pulvérisation cathodique. Cette cible de pulvérisation cathodique permet de supprimer des décharges anormales qui pourraient être une cause de la formation de particules pendant la pulvérisation cathodique, lesdites décharges anormales étant provoquées par un matériau non magnétique.
(JA) 本発明は、Co又はFeを含む合金と少なくともTi、Bを含む酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織において、酸化物の粒子面積Sが10μm以上、かつ、粒子面積Sと粒子の周囲の長さLとの比(S/L)が0.35以上である酸化物粒子の平均個数が、0.0015個/μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクル発生の原因となる非磁性材料に起因する異常放電を抑制することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)