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1. (WO2016011352) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR LE DÉPÔT D'UNE COUCHE DE COBALT À L'AIDE D'UN RÉACTEUR DE DÉPÔT DISCONTINU À CARROUSEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/011352    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/040909
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 17.07.2015
CIB :
C23C 16/06 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : TRIVEDI, Mayur; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; (US)
Données relatives à la priorité :
62/025,875 17.07.2014 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING A COBALT LAYER USING A CAROUSEL BATCH DEPOSITION REACTOR
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR LE DÉPÔT D'UNE COUCHE DE COBALT À L'AIDE D'UN RÉACTEUR DE DÉPÔT DISCONTINU À CARROUSEL
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for depositing a cobalt layer in features formed on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of depositing a cobalt layer atop a substrate includes: (a) providing a substrate to a substrate support that is rotatable between two processing positions; (b) exposing the substrate to a cobalt containing precursor at a first processing position to deposit a cobalt layer atop the substrate; (c) rotating the substrate to a second processing position; and (d) annealing the substrate at the second processing position to remove contaminants from the cobalt layer.
(FR)L'invention concerne des procédés et un appareil pour le dépôt d'une couche de cobalt dans des éléments caractéristiques formés sur un substrat. Dans certains modes de réalisation, un procédé de dépôt d'une couche de cobalt sur un substrat comprend : (a) la disposition d'un substrat sur un support de substrat qui peut tourner entre deux positions de traitement ; (b) l'exposition du substrat à un précurseur contenant du cobalt au niveau d'une première position de traitement pour déposer une couche de cobalt sur le substrat ; (c) la rotation du substrat vers une seconde position de traitement ; et (d) le recuit du substrat au niveau de la seconde position de traitement pour éliminer des contaminants de la couche de cobalt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)