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1. (WO2016009680) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/009680    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/059942
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 30.03.2015
CIB :
H01G 9/028 (2006.01), H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/052 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
Inventeurs : NAITO Kazumi; (JP).
YABE Shoji; (JP)
Mandataire : OHIE Kunihisa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-145717 16.07.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE
(JA) 固体電解コンデンサ素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for producing a solid electrolytic capacitor element, which comprises, in the following order: a sintering step wherein a positive electrode body is formed by sintering a valve-acting metal; a chemical conversion step wherein a dielectric layer is formed in the surface layer part of the positive electrode body; a semiconductor layer formation step wherein the positive electrode body is immersed in a solution of a monomer of a conductive polymer and a semiconductor layer, which is formed of the conductive polymer, is formed by polymerizing the monomer; and a conductor layer formation step wherein a conductor layer is formed on the positive electrode body. This method for producing a solid electrolytic capacitor element is characterized in that the semiconductor layer formation step is carried out under the conditions where photopolymerization of the monomer of the conductive polymer is not caused. According to the present invention, solid electrolytic capacitors can be produced with high productivity, while producing less defective products such as unsealed products.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de condensateur électrolytique solide, qui comprend, dans l'ordre suivant : une étape de frittage à laquelle un corps d'électrode positive est formé par frittage d'un métal à effet de soupape ; une étape de conversion chimique à laquelle une couche diélectrique est formée dans la partie couche surfacique du corps d'électrode positive ; une étape de formation de couche semi-conductrice à laquelle le corps d'électrode positive est immergé dans une solution d'un monomère d'un polymère conducteur et une couche semi-conductrice, qui est constituée du polymère conducteur, est formée par polymérisation du monomère ; et une étape de formation de couche conductrice à laquelle une couche conductrice est formée sur le corps d'électrode positive. Ce procédé de fabrication d'un élément de condensateur électrolytique solide est caractérisé en ce que l'étape de formation de couche semi-conductrice est effectuée dans des conditions ne provoquant pas la photopolymérisation du monomère du polymère conducteur. Selon la présente invention, des condensateurs électrolytiques solides peut être fabriqués avec une productivité élevée, tout en produisant moins de produits défectueux tels que des produits non étanches.
(JA) 本発明は弁作用金属を焼結して陽極体を形成する焼結工程と、前記陽極体の表層部に誘電体層を形成する化成工程と、前記陽極体を導電性高分子のモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーを重合することによって導電性高分子からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記陽極体上に導電体層を形成する導電体層形成工程とをこの順で含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、前記半導体層形成工程を、前記導電性高分子のモノマーの光重合が起こらない条件下で行うことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供する。本発明によれば、未封止等の不良品が少ない固体電解コンデンサを生産性よく製造することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)