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1. (WO2016004665) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES À L'AIDE DU PROCÉDÉ DE FABRICATION DE POLYSILICUM BASSE TEMPÉRATURE, ET STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2016/004665    International Application No.:    PCT/CN2014/084443
Publication Date: Fri Jan 15 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Sat Aug 16 01:59:59 CEST 2014
IPC: H01L 21/324
H01L 21/77
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: ZHANG, Xiaoxing
张晓星
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES À L'AIDE DU PROCÉDÉ DE FABRICATION DE POLYSILICUM BASSE TEMPÉRATURE, ET STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Abstract:
Cette invention concerne un procédé de fabrication de polysilicium basse température, un procédé de fabrication d'un substrat de TFT à l'aide du procédé de fabrication de polysilicium basse température, et une structure de substrat de TFT. Ledit procédé de fabrication de polysilicium basse température comprend les étapes suivantes : étape 1, utiliser un substrat (1) ; étape 2, former par dépôt une couche tampon (2) sur le substrat (1) ; étape 3, structurer la couche tampon (2) pour former une partie convexe (21) et une partie concave (23) présentant des épaisseurs différentes ; étape 4, former par dépôt une couche de silicium amorphe (3) sur la couche tampon (2) présentant la partie convexe (21) et la partie concave (23) ; étape 5, effectuer un prétraitement de recuit laser à excimère sur la couche de silicium amorphe (3) ; et étape 6, effectuer un traitement de recuit laser à excimère sur la couche de silicium amorphe (3), et balayer la totalité de la surface de la couche de silicium amorphe (3) à l'aide de faisceaux laser, de sorte que la couche de silicium amorphe (3) est fondue et recristallisée pour former une couche de silicium polycristallin (4). Le procédé selon l'invention permet de contrôler efficacement la position de cristallisation et le sens de cristallisation lorsque la couche de silicium amorphe est recristallisée.