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1. (WO2016004251) CAPTEURS D'IMPLANT FERMÉS HERMÉTIQUEMENT AYANT UNE ARCHITECTURE D'EMPILEMENT VERTICAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/004251    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/038902
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 01.07.2015
CIB :
A61B 3/16 (2006.01), A61B 5/03 (2006.01), G01L 1/14 (2006.01)
Déposants : INJECTSENSE, INC. [US/US]; 6475 Christie Avenue, Suite 120 Emeryville, California 94608 (US)
Inventeurs : CAO, Ariel; (US)
Mandataire : SHURTZ, Kenneth; (US)
Données relatives à la priorité :
62/019,841 01.07.2014 US
Titre (EN) HERMETICALLY SEALED IMPLANT SENSORS WITH VERTICAL STACKING ARCHITECTURE
(FR) CAPTEURS D'IMPLANT FERMÉS HERMÉTIQUEMENT AYANT UNE ARCHITECTURE D'EMPILEMENT VERTICAL
Abrégé : front page image
(EN)The present invention describes vertically stacked and hermetically sealed implantable pressure sensor devices for measuring a physiological signal. The implantable device comprises multiple layers, including a first wafer having a pressure sensor configured to measure the physiological signal and a second wafer having at least a digitizing integrated circuit. The first wafer is vertically stacked or disposed over the second wafer so as to form a hermetic seal. The device may include one or more additional layers adapted for energy storage and transfer, such as a third layer having a super-capacitor and a fourth layer having a thin film battery.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs de capteur de pression implantables fermés hermétiquement et empilés verticalement destinés à mesurer un signal physiologique. Le dispositif implantable comprend de multiples couches comprenant une première tranche ayant un capteur de pression configuré de sorte à mesurer le signal physiologique et une seconde tranche ayant au moins un circuit intégré de numérisation. La première tranche est empilée ou disposée verticalement sur la seconde tranche de sorte à former un joint hermétique. Le dispositif peut comprendre une ou plusieurs couches supplémentaires conçues pour permettre un stockage de l'énergie et un transfert de l'énergie, telles qu'une troisième couche ayant un supercondensateur et une quatrième couche ayant une batterie à couches minces.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)