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1. (WO2016000399) TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2016/000399    International Application No.:    PCT/CN2014/093052
Publication Date: Fri Jan 08 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Fri Dec 05 00:59:59 CET 2014
IPC: H01L 51/05
H01L 51/40
H01L 51/10
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: FONG, Honhang
方汉铿
XIE, Yingtao
谢应涛
OUYANG, Shihong
欧阳世宏
CAI, Shucheng
蔡述澄
SHI, Qiang
石强
LIU, Ze
刘则
Title: TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abstract:
L'invention porte sur un transistor à film mince organique, un substrat matriciel et leur procédé de préparation, ainsi que sur un dispositif d'affichage, le procédé de préparation de transistor à film mince organique comprenant : la formation d'une couche métallique de source/drain comprenant une électrode de source (12a) et une électrode de drain (12b), et d'une couche active de semi-conducteur organique (13) en contact avec l'électrode de source (12a) et l'électrode de drain (12b) ; et la formation d'un film mince isolant organique (140) sur un substrat (10) sur lequel sont formées la couche métallique de source/drain et la couche active de semi-conducteur organique (13), la réduction d'épaisseur du film mince isolant organique (140) et le durcissement du film mince isolant organique aminci (140), ou le durcissement du film mince isolant organique (140) et la réduction d'épaisseur du film mince isolant organique durci (140), afin de former une couche isolante organique (14). Le procédé peut former une couche isolante organique uniformément formée en film et amincie, réduisant la difficulté de formation de trous d'interconnexion.