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1. (WO2015179050) MATRICE DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE À HAUTE DENSITÉ À FORMATION DE MOTIFS MÉTALLIQUES AVANCÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/179050 N° de la demande internationale : PCT/US2015/026588
Date de publication : 26.11.2015 Date de dépôt international : 20.04.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 09.02.2016
CIB :
H01L 27/02 (2006.01) ,G11C 11/412 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
412
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
MOJUMDER, Niladri; US
SONG, Stanley Seungchul; US
WANG, Zhongze; US
YEAP, Choh Fei; US
Mandataire :
OLDS, Mark E.; US
Données relatives à la priorité :
14/281,71019.05.2014US
Titre (EN) HIGH DENSITY STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY HAVING ADVANCED METAL PATTERNING
(FR) MATRICE DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE À HAUTE DENSITÉ À FORMATION DE MOTIFS MÉTALLIQUES AVANCÉE
Abrégé :
(EN) Methods and apparatus directed toward a high density static random access memory (SRAM) array having advanced metal patterning are provided. In an example, provided is a method for fabricating an SRAM. The method includes forming, using a self-aligning double patterning (SADP) technique, a plurality of substantially parallel first metal lines oriented in a first direction in a first layer. The method also includes etching the substantially parallel first metal lines, using a cut mask, in a second direction substantially perpendicular to the first direction, to separate the substantially parallel first metal lines into a plurality of islands having first respective sides that are aligned in the first direction and second respective sides that are aligned the second direction. The method also includes forming, in a second layer, a plurality of second metal lines oriented in the first direction.
(FR) L'invention concerne des procédés et des appareils ayant trait à une matrice de mémoire vive statique (SRAM) à haute densité à formation de motifs métalliques avancée. Dans un exemple, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une SRAM. Le procédé consiste à former, à l'aide d'une technique de double formation de motifs à auto-alignement (SADP), une pluralité de premières lignes métalliques sensiblement parallèles orientées dans une première direction dans une première couche. Le procédé consiste également à graver les premières lignes métalliques sensiblement parallèles, à l'aide d'un masque de coupe, dans une deuxième direction sensiblement perpendiculaire à la première direction, afin de séparer les premières lignes métalliques sensiblement parallèles en une pluralité d'îlots présentant des premiers côtés respectifs qui sont alignés dans la première direction et des deuxièmes côtés respectifs qui sont alignés dans la deuxième direction. Le procédé consiste également à former, dans une deuxième couche, une pluralité de deuxièmes lignes métalliques orientées dans la première direction.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
CN106463502EP3146564JP2017516313KR1020170005005IN201627035579