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1. (WO2015175800) REVÊTEMENTS DE SEMI-CONDUCTEURS CARRÉS POUR POINTS QUANTIQUES (PQ)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/175800 N° de la demande internationale : PCT/US2015/030822
Date de publication : 19.11.2015 Date de dépôt international : 14.05.2015
CIB :
H01L 33/04 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
Déposants :
PACIFIC LIGHT TECHNOLOGIES CORP. [US/US]; 2828 SW Corbett Avenue, ST3 Portland, Oregon 97201, US
Inventeurs :
CARILLO, Matthew J.; US
HUGHES, Steven; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
Données relatives à la priorité :
61/994,71816.05.2014US
Titre (EN) SQUARED-OFF SEMICONDUCTOR COATINGS FOR QUANTUM DOTS (QDS)
(FR) REVÊTEMENTS DE SEMI-CONDUCTEURS CARRÉS POUR POINTS QUANTIQUES (PQ)
Abrégé :
(EN) Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (QDs) and the resulting quantum dot materials are described. In an example, a semiconductor structure includes a quantum dot structure having an outermost surface. A crystalline semiconductor coating is disposed on and completely surrounds the outermost surface of the quantum dot structure. The crystalline semiconductor coating has a geometry with squared-off ends.
(FR) L'invention concerne des revêtements de semi-conducteurs carrés pour points quantiques (PQ) et les matériaux de points quantiques résultants. Dans un exemple, une structure à semi-conducteurs comprend une structure de point quantique sur une surface la plus extérieure. Un revêtement à semi-conducteurs cristallin est disposé sur et entoure complètement la surface la plus extérieure de la structure de point quantique. Le revêtement à semi-conducteurs cristallin possède une géométrie à extrémités carrées.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP3143646US20170092805