WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015135974) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES À RÉGIONS DOPÉES GRAVÉES EN RETRAIT SIMULTANÉMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/135974    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/055042
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 11.03.2015
CIB :
H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT KONSTANZ [DE/DE]; Universitätsstrasse 10 78464 Konstanz (DE)
Inventeurs : TERHEIDEN, Barbara; (DE).
FREY, Alexander; (DE).
ENGELHARDT, Josh; (DE).
SCHIELE, Yvonne; (DE)
Mandataire : QIP PATENTANWÄLTE, DR. KUEHN & PARTNER MBB; Goethestrasse 8 80336 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 103 303.5 12.03.2014 DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS HAVING SIMULTANEOUSLY ETCHED-BACK DOPED REGIONS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES À RÉGIONS DOPÉES GRAVÉES EN RETRAIT SIMULTANÉMENT
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a solar cell is described, in which a plurality of doped regions are to be etched-back selectively or over their entire surface. Once a semiconductor substrate (1) has been provided, various doped regions (3, 5) are formed in partial regions of a surface of the semiconductor substrate, the various doped regions (3, 5) differing as regards their doping concentration and/or their doping polarity. The various doped regions (3, 5) are then purposively etched-back in order to achieve desired doping profiles, and finally electrical contacts (21) are formed at least at some of the doped regions (3, 5). The etching-back of the various doped regions takes place in a common etching operation in an etching medium. In order that such common etching-back of various doped regions (3, 5) is possible, it is proposed purposively to adjust both properties of the initially unetched doped regions (3, 5) and parameters that influence the etching operation with regard to properties of the desired doping profiles within the etched doped regions.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de cellule photovoltaïque, dans lequel plusieurs régions dopées doivent être gravées en retrait de manière sélective ou sur la totalité de leur surface. Une fois fourni un substrat semi-conducteur (1), diverses régions dopées (3, 5) sont formées dans des régions partielles d'une surface du substrat semi-conducteur, les diverses régions dopées (3, 5) différant en termes de concentration de dopage et/ou de polarité de dopage respectives. Les diverses régions dopées (3, 5) sont ensuite gravées en retrait, à dessein, de sorte à obtenir des profils de dopage souhaités, et des contacts électriques (21) sont enfin formés au moins au niveau de certaines des régions dopées (3, 5). La gravure en retrait des diverses régions dopées a lieu au cours d'une mise en œuvre de gravure commune dans un réactif d'attaque. Afin de rendre possible une telle gravure en retrait commune de diverses régions dopées (3, 5), il est proposé d'ajuster à dessein à la fois des propriétés de régions dopées (3, 5) non gravées initialement et des paramètres qui influencent la mise en œuvre de gravure par rapport à des propriétés des profils de dopage souhaités à l'intérieur des régions dopées gravées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)