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1. (WO2015134200) OUTIL DE CUISSON POUR PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT DE PLAQUETTE AMÉLIORÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134200    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/016647
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 19.02.2015
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : PARK, Jungrae; (US).
LEI, Wei-Sheng; (US).
PAPANU, James S.; (US).
EATON, Brad; (US).
KUMAR, Ajay; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/200,918 07.03.2014 US
Titre (EN) BAKING TOOL FOR IMPROVED WAFER COATING PROCESS
(FR) OUTIL DE CUISSON POUR PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT DE PLAQUETTE AMÉLIORÉ
Abrégé : front page image
(EN)Baking methods and tools for improved wafer coating are described. In one embodiment, a method of dicing a semiconductor wafer including integrated circuits involves coating a surface of the semiconductor wafer to form a mask covering the integrated circuits. The method involves baking the mask with radiation from one or more light sources. The method involves patterning the mask with a laser scribing process to provide a patterned mask with gaps, exposing regions of the substrate between the ICs. The method may also involves singulating the ICs, such as with a plasma etching operation.
(FR)L'invention concerne des procédés et des outils de cuisson pour un revêtement de plaquette amélioré. Selon un mode de réalisation, un procédé de découpage en dés d'une plaquette de semi-conducteur comprenant des circuits intégrés consiste à revêtir une surface de la plaquette de semi-conducteur pour former un masque recouvrant les circuits intégrés. Le procédé consiste à cuire le masque au moyen d'un rayonnement provenant d'une ou de plusieurs sources lumineuses. Le procédé comprend la formation de motifs sur le masque au moyen d'un processus de découpe au laser pour produire un masque à motifs doté d'espaces, exposant des régions du substrat entre les CI. Le procédé peut également consister à séparer les CI, comme avec une opération de gravure par plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)