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1. (WO2015133312) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133312    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055028
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 23.02.2015
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TAKAHASHI Kouki; (JP).
USAMI Yoshihisa; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-040349 03.03.2014 JP
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FORMING METHOD AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体膜の形成方法および有機半導体膜の形成装置
Abrégé : front page image
(EN)The method uses a screen member for covering a solution, and comprises: obtaining a situation in which a solution containing an organic semiconductor material and a solvent is present at a predetermined position on a substrate placed atop a stage, in between and in contact with the substrate and the insulation member which has been positioned to be parallel to and separated from the substrate; and moving the stage and the screen member relatively to one another in a predetermined direction. In this way, an organic semiconductor film having a large surface area and satisfactory crystallinity is formed at the desired position on the substrate.
(FR)Le procédé utilise un élément écran pour recouvrir une solution, et comprend: l'obtention d'une situation dans laquelle une solution contenant un matériau semi-conducteur organique et un solvant est présente au niveau d'un emplacement prédéterminé sur un substrat placé au-dessus d'un étage, entre le substrat et l'élément d'isolation et en contact avec ces derniers, ledit élément d'isolation ayant été positionné de façon à être parallèle au substrat et séparé de ce dernier ; et le déplacement de l'étage et de l'élément écran l'un par rapport à l'autre dans une direction prédéterminée. De cette manière, un film semi-conducteur organique ayant une grande zone de surface et une cristallinité satisfaisante est formé au niveau de l'emplacement souhaité sur le substrat.
(JA) 溶液を覆うための遮蔽部材を用い、ステージに載置した基材の所定位置において、基材に対して平行かつ離間して位置する遮蔽部材と基材との間に、遮蔽部材の両者に接触して有機半導体材料と溶媒とを含む溶液が存在する状態とし、ステージと遮蔽部材とを所定の一方向に相対的に移動する。これにより、基材上の所望の位置に、大面積で結晶性の良好な有機半導体膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)