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1. (WO2015130358) LASER À POLARISATION MAGNÉTIQUE TRANSVERSAL À ÉMISSION DE SUBSTRAT UTILISANT UN RÉSEAU MÉTALLIQUE/À SEMICONDUCTEUR À RÉTROACTION DISTRIBUÉE POUR UN FONCTIONNEMENT EN MODE SYMÉTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130358    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/067130
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 24.11.2014
CIB :
H01S 5/125 (2006.01)
Déposants : WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 614 Walnut Street Madison, Wisconsin 53726 (US)
Inventeurs : MAWST, Luke J.; (US).
BOTEZ, Dan; (US).
EARLES, Thomas L.; (US).
KIRCH, Jeremy D.; (US).
SIGLER, Christopher A.; (US)
Mandataire : POREMBSKI, N. Meredith; (US)
Données relatives à la priorité :
14/103,223 11.12.2013 US
Titre (EN) SUBSTRATE-EMITTING TRANSVERSE MAGNETIC POLARIZED LASER EMPLOYING A METAL/SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED FEEDBACK GRATING FOR SYMMETRIC-MODE OPERATION
(FR) LASER À POLARISATION MAGNÉTIQUE TRANSVERSAL À ÉMISSION DE SUBSTRAT UTILISANT UN RÉSEAU MÉTALLIQUE/À SEMICONDUCTEUR À RÉTROACTION DISTRIBUÉE POUR UN FONCTIONNEMENT EN MODE SYMÉTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor lasers comprise a substrate; an active layer configured to generate transverse magnetic (TM) polarized light under an electrical bias; an upper cladding layer; a lower cladding layer; and a distributed feedback (DFB) grating defined by the interface of a layer of metal and a layer of semiconductor under the layer of metal, the interface periodically corrugated in the longitudinal direction of the laser with a periodicity of ΛDFB = mλ/(2neff), wherein m > 1. The DFB grating is configured such that loss of one or more antisymmetric longitudinal modes of the laser structure via absorption to the DFB grating is sufficiently maximized so as to produce lasing of a symmetric longitudinal mode of the laser with laser emission characterized by a single-lobe beam along each direction defined by the grating diffraction orders corresponding to emission away from the plane of the grating.
(FR)L'invention concerne des lasers à semiconducteur comprenant un substrat ; une couche active conçue pour générer une lumière polarisée magnétique transversale (TM) sous une polarisation électrique ; une couche de placage supérieure ; une couche de placage inférieure ; et un réseau à rétroaction distribuée (DFB) défini par l'interface d'une couche de métal et d'une couche de semiconducteur sous la couche de métal, l'interface étant périodiquement ondulée dans la direction longitudinale du laser avec une périodicité de ΛDFB = mλ/(2n eff), où m > 1. Le réseau DFB est conçu de telle sorte que la perte d'un ou de plusieurs modes longitudinaux antisymétriques de la structure de laser par l'intermédiaire de l'absorption vers le réseau DFB est suffisamment maximisée de façon à produire une émission laser d'un mode longitudinal symétrique du laser avec une émission laser caractérisée par un faisceau à un seul lobe le long de chaque direction définie par les ordres de diffraction du réseau correspondant à l'émission s'éloignant du plan du réseau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)