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1. (WO2015129675) PROCÉDÉ DE MÉTALLISATION DE SURFACE DE SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE ET SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE POURVU D'UN FILM MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129675    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055186
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
C23C 18/08 (2006.01), C23C 18/04 (2006.01)
Déposants : OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP).
NOF CORPORATION [JP/JP]; 4-20-3, Ebisu, Shibuya-ku, Tokyo 1506019 (JP)
Inventeurs : YAMAMURA Kazuya; (JP).
OHKUBO Yuji; (JP).
SATO Haruka; (JP).
HIKITA Masaya; (JP)
Mandataire : YANAGINO Takao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-038876 28.02.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR METALLIZING DIELECTRIC SUBSTRATE SURFACE, AND DIELECTRIC SUBSTRATE PROVIDED WITH METAL FILM
(FR) PROCÉDÉ DE MÉTALLISATION DE SURFACE DE SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE ET SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE POURVU D'UN FILM MÉTALLIQUE
(JA) 誘電体基材表面の金属化方法及び金属膜付き誘電体基材
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for forming a silver thin film layer by treating a dielectric substrate surface with atmospheric-pressure plasma using rare gas to generate peroxide radicals; reacting a grafting agent to fix a functional group that forms a coordinate bond with silver ions; coating with a silver-containing composition comprising 10 to 50 mass% of a silver compound (A) of formula (1) and 50 to 90 mass% of an amine compound (B) of formula (2); and heating and curing to form the silver thin film layer. The method makes it possible to form a metal film that is suitable for a dielectric substrate, without a delay in the signal propagation speed or an increase in the power consumption, and that has high adhesion even to a surface of a fluorine resin having extremely low adhesion. (R1: hydrogen, -(CY2)a-CH3 or ((CH2)b-O-CHZ)c-CH3; R2: -(CY2)d-CH3 or -((CH2)e-O-CHZ)f-CH3. Y: hydrogen atom or -(CH2)g-CH3; Z: hydrogen atom or -(CH2)h-CH3. a: an integer 0 to 8; b: an integer 1 to 4; c: an integer 1 to 3; d: an integer 1 to 8; e: an integer 1 to 4; f: an integer 1 to 3; g: an integer 1 to 3; h: an integer 1 to 2.)
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche de film mince d'argent par traitement d'une surface de substrat diélectrique avec un plasma à pression atmosphérique utilisant des gaz rares pour produire des radicaux de peroxyde ; réaction d'un agent de greffage pour fixer un groupe fonctionnel qui forme une liaison de coordination avec les ions argent ; enduction par une composition contenant de l'argent comprenant 10 à 50 % en masse d'un composé de l'argent (A) de formule (1) et 50 à 90 % en masse d'un composé amine (B) de formule (2) ; et chauffage et durcissement pour former la couche de film mince d'argent. Le procédé permet de former un film métallique qui est approprié pour un substrat diélectrique, sans un retard dans la vitesse de propagation d'un signal ou une augmentation de la consommation d'énergie, et qui a une adhérence élevée même à une surface d'une résine fluorée ayant une adhérence extrêmement faible. (R1 : hydrogène, -(CY2)a-CH3 ou ((CH2)b-O-CHZ)c-CH3 ; R2 : -(CY2)d-CH3 ou -((CH2)e-O-CHZ)f-CH3. Y : atome d'hydrogène ou -(CH2)g-CH3 ; Z : atome d'hydrogène ou -(CH2)h-CH3. a : nombre entier de 0 à 8 ; b : nombre entier de 1 à 4 ; c : nombre entier de 1 à 3 ; d : nombre entier de 1 à 8 ; e : nombre entier de 1 à 4 ; p : nombre entier de 1 à 3 ; g : nombre entier de 1 à 3 ; h : nombre entier de 1 à 2.)
(JA) 誘電体基材表面に、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して過酸化物ラジカルを生成し、グラフト化剤を反応させて銀イオンと配位結合する官能基を固定し、式(1)の銀化合物(A)10~50質量%と式(2)のアミン化合物(B)50~90質量%とを含む銀含有組成物を塗布し、加熱、硬化して銀薄膜層を形成する方法により、信号伝播速度の遅延や消費電力の増加がなく誘電体基材として適しているが、密着性が極めて低いフッ素樹脂の表面にも、高い密着性を有する金属膜を形成できる。(R;水素、-(CY)a-CH又は-((CH)b-O-CHZ)c-CH、R;-(CY)d-CH又は-((CH)e-O-CHZ)f-CH。Y;水素原子又は-(CH)g-CH、Z;水素原子又は-(CH)h-CH。a;0~8の整数、b;1~4の整数、c;1~3の整数、d;1~8の整数、e;1~4の整数、f;1~3の整数、g;1~3の整数、h;1~2の整数。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)