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1. (WO2015128399) PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE PAR ASSEMBLAGE D'AU MOINS DEUX ELEMENTS PAR COLLAGE DIRECT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128399    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/053984
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR)
Inventeurs : GONDCHARTON, Paul; (FR).
BENAISSA, Lamine; (FR).
IMBERT, Bruno; (FR).
MORICEAU, Hubert; (FR)
Mandataire : BREVALEX; 95, rue d'Amsterdam F-75378 Paris Cedex 8 (FR)
Données relatives à la priorité :
1451602 27.02.2014 FR
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING A STRUCTURE BY ASSEMBLING AT LEAST TWO ELEMENTS BY DIRECT ADHESIVE BONDING
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE PAR ASSEMBLAGE D'AU MOINS DEUX ELEMENTS PAR COLLAGE DIRECT
Abrégé : front page image
(EN)Process for producing a structure by direct adhesive bonding of two elements comprising the production of the elements to be assembled and the assembly of said elements, in which the production of the elements to be assembled comprises the steps: - deposition on a substrate of a TiN or TaN layer by physical vapour deposition, - deposition of a copper layer on the TiN or TaN layer, the conditions under which the TinN or TaN layer is deposited by physical vapour deposition being such that the copper layer has a mainly crystallographic orientation (220), and in which the assembly of said elements comprises the steps: - polishing the surfaces of the copper layers intended to come into contact so that they have a roughness of less than 1 nm RMS and hydrophilic properties, - bringing said surfaces into contact, - storing said structure at atmospheric pressure and at ambient temperature.
(FR)Procédé de réalisation d'une structure par collage direct de deux éléments comportant la réalisation des éléments à assembler et l'assemblage desdits éléments, dans lequel la réalisation des éléments à assembler comporte les étapes: - dépôt sur un substrat d'une couche de TiN ou TaN par dépôt physique en phase vapeur, - dépôt d'une couche de cuivre sur la couche de TiN ou TaN, les conditions de dépôt de la couche de TiN ou TaN par dépôt physique en phase vapeur étant telles que la couche de cuivre présente une orientatioin cristallographique principalement en (220), et dans lequel l'assemblage desdits éléments comporte les étapes: - polissage des surfaces des couches de cuivre destinées à venir en contact de sorte à ce qu'elles présentent une rugosité inférieure à 1 nm RMS et des propriétés hydrophiles, - mise en contact desdites surfaces, - stockage de ladite structure à pression atmosphérique et à température ambiante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)