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1. (WO2015126485) COMPOSANTS DE COMMUTATION ET UNITÉS DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/126485    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/066177
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 18.11.2014
CIB :
G11C 11/14 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MS 1-525 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventeurs : RAMASWAMY, D.V. Nirmal; (US)
Mandataire : MATKINS, Mark, S.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/184,400 19.02.2014 US
Titre (EN) SWITCHING COMPONENTS AND MEMORY UNITS
(FR) COMPOSANTS DE COMMUTATION ET UNITÉS DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include a switching component which includes a selector region between a pair of electrodes. The selector region contains silicon doped with one or more of nitrogen, oxygen, germanium and carbon. Some embodiments include a memory unit which includes a memory cell and a select device electrically coupled to the memory cell. The select device has a selector region between a pair of electrodes. The selector region contains semiconductor doped with one or more of nitrogen, oxygen, germanium and carbon. The select device has current versus voltage characteristics which include snap-back voltage behavior.
(FR)Dans certains modes de réalisation de la présente invention, un composant de commutation comprend une région sélectrice entre une paire d'électrodes. La région sélectrice contient du silicium dopé avec un ou plusieurs parmi de l'azote, de l'oxygène, du germanium et du carbone. Certains modes de réalisation comprennent une unité de mémoire qui comprend une cellule de mémoire et un dispositif de sélection couplé électriquement à la cellule de mémoire. Le dispositif de sélection comporte un région sélectrice entre une paire d'électrodes. La région sélectrice contient un semi-conducteur dopé avec un ou plusieurs parmi de l'azote, de l'oxygène, du germanium et du carbone. Le dispositif de sélection présente des caractéristiques courant contre tension qui comprennent un comportement de tension de relance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)