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1. (WO2015118935) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE POURVU DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/118935    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051322
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : HARADA Masatomi; .
KAMIKAWA Takeshi; .
TSUJINO Kazuya; .
KOIDE Naoki; .
ASANO Naoki; .
MATSUMOTO Yuta;
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-023731 10.02.2014 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLAR CELL MODULE PROVIDED WITH SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE POURVU DE CELUI-CI
(JA) 光電変換素子およびそれを備えた太陽電池モジュール
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric conversion element that is provided with an n-type single-crystal silicon substrate (1). The n-type single-crystal silicon substrate (1) includes a center region (11) and an end region (12). The center region (11) has a center point that is the same as the center point of the n-type single-crystal silicon substrate (1), and is a region that is enclosed by a circle that has a diameter that is 40% of the length of the shortest side of the four sides of the n-type single-crystal silicon substrate (1). The center region (11) has a thickness t1. The end region (12) is a region that is within 5 mm of an end of the n-type single-crystal silicon substrate (1). The end region (12) is arranged further to the outside than the center region (11) in the in-plane direction of the n-type single-crystal silicon substrate (1), and has a thickness t2 that is thinner than the thickness t1. In addition, the average surface roughness of the end region (12) is smaller than the average surface roughness of the center region (11).
(FR)L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui est doté d'un substrat en silicium monocristallin de type N (1). Le substrat en silicium monocristallin de type N (1) comprend une région centrale (11) et une région d'extrémité (12). La région centrale (11) possède un point central qui est le même que le point central du substrat en silicium monocristallin de type N (1) et elle est une région qui est entourée par un cercle ayant un diamètre égal à 40 % de la longueur du côté le plus court des quatre côtés du substrat en silicium monocristallin de type N (1). La région centrale (11) possède une épaisseur t1. La région d'extrémité (12) est une région qui se trouve dans une marge de 5 mm d'une extrémité du substrat en silicium monocristallin de type N (1). La région d'extrémité (12) est disposée plus vers l'extérieur que la région centrale (11) dans la direction dans le plan du substrat en silicium monocristallin de type N (1) et possède une épaisseur t2 qui est plus mince que l'épaisseur t1. De plus, la rugosité de surface moyenne de la région d'extrémité (12) est inférieure à la rugosité de surface moyenne de la région centrale (11).
(JA) 光電変換素子は、n型単結晶シリコン基板(1)を備える。n型単結晶シリコン基板(1)は、中心領域(11)と、端部領域(12)とを含む。中心領域(11)は、n型単結晶シリコン基板(1)の中心点と同じ中心点を持ち、かつ、n型単結晶シリコン基板(1)の四辺のうち最も短い辺の長さの40%の長さを直径とする円で囲まれる領域である。そして、中心領域(11)は、厚みt1を有する。端部領域(12)は、n型単結晶シリコン基板(1)の端から5mm以内の領域である。そして、端部領域(12)は、n型単結晶シリコン基板(1)の面内方向において中心領域(11)よりも外側に配置され、厚みt1よりも薄い厚みt2を有する。また、端部領域(12)は、中心領域(11)の平均面粗さよりも小さい平均面粗さを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)