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1. (WO2015109237) STRUCTURES ET PROCÉDÉS À SENSIBILITÉ RÉDUITE PAR RAPPORT À LA CHARGE DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109237    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011827
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 16.01.2015
CIB :
H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : IDEAL POWER INC. [US/US]; Suite 100 4120 Friedrich Lane Austin, Texas 78744 (US)
Inventeurs : BLANCHARD, Richard A.; (US)
Mandataire : GROOVER III, Robert O.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/928,133 16.01.2014 US
62/094,415 19.12.2014 US
62/102,357 12.01.2015 US
Titre (EN) STRUCTURES AND METHODS WITH REDUCED SENSITIVITY TO SURFACE CHARGE
(FR) STRUCTURES ET PROCÉDÉS À SENSIBILITÉ RÉDUITE PAR RAPPORT À LA CHARGE DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)The present application provides (in addition to more broadly applicable inventions) improvements which are particularly applicable to two-sided power semiconductor devices which use bipolar conduction. In this class of devices, the inventor has realized that two or three of the four (or more) semiconductor doping components which form the carrier-emission structures and control structures in the active device (array) portion of a two-sided power device can also be used, with surprising advantages, to form field-limiting rings around the active arrays on both surfaces. Most preferably, in some but not necessarily all embodiments, a shallow implant of one conductivity type is used to counterdope the surface of a well having the other conductivity type. This shallow implant, singly or in combination with another shallow implant of the same conductivity type, works to shield the well from the effects of excess charge at or above the surface of the semiconductor material.
(FR)La présente invention concerne (en plus des inventions plus largement applicables) des améliorations applicables particulièrement à des dispositifs de puissance doubles à semi-conducteurs utilisant la conduction bipolaire. Dans cette classe de dispositifs, l'inventeur a constaté que deux ou trois des quatre (ou plus) composants de dopage de semi-conducteurs formant des structures d'émission et de commande de porteuse dans la partie dispositif actif (réseau) d'un dispositif de puissance double peuvent également servir avantageusement à former des anneaux de limitation de champ autour les réseaux actifs sur les deux surfaces. Il est davantage préférable, dans certains modes de réalisation mais pas nécessairement tous, d'avoir un implant peu profond d'un type de conductivité pour contre-doper la surface d'un puits ayant l'autre type de conductivité. L'implant peu profond, seul ou en combinaison avec un autre implant peu profond à même type de conductivité, fonctionne de sorte à protéger le puits des effets de charge excessive correspondant ou supérieure à la surface du matériau semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)