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1. (WO2015106854) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION MICROMÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/106854    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/074748
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 17.11.2014
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : CLASSEN, Johannes; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 200 507.8 14.01.2014 DE
Titre (DE) MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) MICROMECHANICAL PRESSSURE SENSOR AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION MICROMÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst einen ASIC-Wafer (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), eine auf der Vorderseite (VS) gebildeten Umverdrahtungseinrichtung (1a) mit einer Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) und dazwischenliegenden Isolationsschichten (I), eine über einer obersten Leiterbahnebene (LB0) der Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) gebildeten strukturierten Isolationsschicht (6), eine auf der Isolationsschicht (6) gebildeten mikromechanischen Funktionsschicht (2; 2"), welche einen mit Druck beaufschlagbaren Membranbereich (M; Μ'; M") über einer Aussparung (A1; A1 ") der Isolationsschicht (6) als eine erste Druckdetektionselektrode aufweist, und eine in der obersten Leiterbahnebene (LB0) beanstandet vom Membranbereich (M; M'; M") in der Aussparung (A1; A1") gebildeten zweiten Druckdetektionselektrode (7; 7"), welche vom Membranbereich (M; Μ'; M") elektrisch isoliert ist. Der Membranbereich (M; Μ'; M") ist durch ein oder mehrere erste Kontaktstöpsel (P1, P2; P1", P2") mit der obersten Leiterbahnebene (LB0) elektrisch verbunden, welche durch den Membranbereich (M; Μ'; M") und durch die Isolationsschicht (6) geführt sind.
(EN)The invention relates to a micromechanical pressure sensor and to a corresponding production method. The micromechanical pressure sensor comprises: an ASIC wafer (1) with a front face (VS) and a rear face (RS); a wiring system (1a) formed on the front face (VS), said system having a plurality of conductor path planes (LB0, LB1, LB2) and insulation layers (I) lying therebetween; a patterned insulation layer (6) formed above an uppermost conductor path plane (LB0) of the plurality of conductor path planes (LB0, LB1, LB2); a micromechanical functional layer (2; 2") on the insulation layer (6), said functional layer having a membrane region (M; Μ'; M"), which can be supplied with pressure and acts as a first pressure detection electrode, above a cavity (A1; A1 ") in the insulation layer (6); and a second pressure detection electrode (7; 7") on the uppermost conductor path plane (LB0), said second electrode being formed in the cavity (A1; A1"), being spaced from the membrane region (M; M'; M") and being electrically insulated from said membrane region (M; Μ'; M"). The membrane region (M; Μ'; M") is electrically connected to the uppermost conductor path plane (LB0) by one or more first contact plugs (P1, P2; P1", P2") running through the membrane region (M; Μ'; M") and through the insulation layer (6).
(FR)La présente invention concerne un dispositif capteur de pression micromécanique et un procédé de fabrication correspondant. Ledit dispositif capteur de pression micromécanique comporte une tranche ASIC (1) présentant une face avant (VS) et une face arrière (RS), un câblage (1a) formé sur la face avant (VS) et pourvu d'une pluralité de plans de pistes conductrices (LB0, LB1, LB2) et de couches d'isolation (I) situées entre lesdits plans, une couche d'isolation (6) structurée formée au-dessus du plan supérieur de pistes conductrices (LB0) de la pluralité de plans de pistes conductrices (LB0, LB1, LB2), une couche fonctionnelle (2; 2") micromécanique formée sur la couche d'isolation (6) qui comporte en tant que première électrode capteur de pression une zone de membrane (M; Μ'; M") pouvant être soumise à une pression et située sur un évidement (A1; A1") ménagé dans la couche d'isolation (6) et une seconde électrode capteur de pression (7; 7") formée dans le plan supérieur de pistes conductrices (LB0), à une certaine distance de de la zone de membrane (M; M'; M"), dans l'évidement (A1; A1"), ladite électrode étant électriquement isolée de la zone de membrane (M; M'; M"). Ladite zone de membrane (M; M'; M") est électriquement connectée par l'intermédiaire d'une ou de plusieurs premières fiches de contact (P1, P2; P1", P2") au plan supérieur de pistes conductrices (LB0), lesdites fiches de contact traversant la zone de membrane (M; M'; M") et la couche d'isolation (6).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)