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1. (WO2015106167) FABRICATION MODULAIRE DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES AVEC DES ÉLECTRODES À FAIBLE RÉSISTIVITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/106167    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010913
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
H01L 31/05 (2014.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : SOLARCITY CORPORATION [US/US]; 3055 Clearview Way San Mateo, CA 94402 (US)
Inventeurs : HENG, Jiunn, Benjamin; (US).
FU, Jianming; (US).
XU, Zheng; (US).
YANG, Bobby; (US)
Mandataire : YAO, Shun; (US)
Données relatives à la priorité :
14/153,608 13.01.2014 US
14/510,008 08.10.2014 US
Titre (EN) MODULE FABRICATION OF SOLAR CELLS WITH LOW RESISTIVITY ELECTRODES
(FR) FABRICATION MODULAIRE DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES AVEC DES ÉLECTRODES À FAIBLE RÉSISTIVITÉ
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a solar module. The solar module includes a front-side cover, a back-side cover, and a plurality of solar cells situated between the front- and back-side covers. A respective solar cell includes a multi-layer semiconductor structure, a front-side electrode situated above the multi-layer semiconductor structure, and a back-side electrode situated below the multi-layer semiconductor structure. Each of the front-side and the back-side electrodes comprises a metal grid. A respective metal grid comprises a plurality of finger lines and a single busbar coupled to the finger lines. The single busbar is configured to collect current from the finger lines.
(FR)La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un module photovoltaïque. Le module photovoltaïque inclut une protection avant, une protection arrière et une pluralité de cellules photovoltaïques situées entre les protections avant et arrière. Une cellule photovoltaïque respective inclut une structure semi-conductrice multicouche, une électrode avant située au-dessus de la structure semi-conductrice multicouche et une électrode arrière située en dessous de la structure semi-conductrice multicouche. Chacune des électrodes avant et arrière comprend une grille métallique. Une grille métallique respective comprend une pluralité de lignes de doigts et une barre-bus unique couplée aux lignes de doigts. La barre-bus unique est configurée pour collecter du courant des lignes de doigts
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)