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1. (WO2015098949) FILM DE FIXATION TEMPORAIRE, FEUILLE DE FILM DE FIXATION TEMPORAIRE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098949    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/084120
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 24.12.2014
CIB :
C09J 7/00 (2006.01), C09J 133/00 (2006.01), C09J 167/00 (2006.01), C09J 183/10 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : TOKUYASU Takahiro; (JP).
NATSUKAWA Masanori; (JP).
OOYAMA Yasuyuki; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-268906 26.12.2013 JP
Titre (EN) FILM FOR TEMPORARY FIXING, FILM SHEET FOR TEMPORARY FIXING AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FILM DE FIXATION TEMPORAIRE, FEUILLE DE FILM DE FIXATION TEMPORAIRE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 仮固定用フィルム、仮固定用フィルムシート及び半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This film for temporary fixing is used in a processing method for a semiconductor wafer, said method comprising: a temporary fixing step wherein a semiconductor wafer is temporarily fixed to a supporting body with this film for temporary fixing being interposed therebetween; a processing step wherein the semiconductor wafer temporarily fixed to the supporting body is processed; and a separation step wherein the processed semiconductor wafer is separated from the supporting body and the film for temporary fixing. This film for temporary fixing contains (A) a high molecular weight component and (B) a silicone-modified resin, and has an elastic modulus of 0.1-1,000 MPa at 23°C after being heated at 110°C for 30 minutes and at 170°C for 1 hour.
(FR)L'invention porte sur un film de fixation temporaire utilisé dans un procédé de traitement d'une tranche de semi-conducteur, ledit procédé comprenant : une étape de fixation temporaire dans laquelle une tranche de semi-conducteur est temporairement fixée à un corps support, ce film de fixation temporaire étant interposé entre eux ; une étape de traitement dans laquelle la tranche de semi-conducteur temporairement fixée au corps support est traitée ; et une étape de séparation dans laquelle la tranche de semi-conducteur traitée est séparée du corps support et du film de fixation temporaire. Ce film de fixation temporaire contient (A) un constituant de masse moléculaire élevée et (B) une résine modifiée par silicone et il a un module élastique de 0,1 à 1000 MPa après avoir été chauffé à 110 °C pendant 30 minutes et à 170 °C pendant 1 heure.
(JA) 本発明に係る仮固定用フィルムは、半導体ウェハを支持体に仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる仮固定用フィルムであって、(A)高分子量成分及び(B)シリコーン変性樹脂を含有し、110℃で30分間及び170℃で1時間加熱された後の弾性率が23℃において0.1~1000MPaである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)