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1. (WO2015098594) COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UN POLYMÈRE NOVOLAQUE AYANT UN GROUPE AMINE SECONDAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098594    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083130
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 15.12.2014
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), C08G 12/08 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventeurs : NISHIMAKI, Hirokazu; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP).
ENDO, Takafumi; (JP)
Mandataire : HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-269765 26.12.2013 JP
Titre (EN) RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING NOVOLAC POLYMER HAVING SECONDARY AMINO GROUP
(FR) COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UN POLYMÈRE NOVOLAQUE AYANT UN GROUPE AMINE SECONDAIRE
(JA) 第二アミノ基を有するノボラックポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a resist underlayer film which has good hard mask function and is capable of forming a good pattern shape. [Solution] A resist underlayer film-forming composition which contains a novolac polymer that is obtained by a reaction between an aromatic compound having a secondary amino group and an aldehyde compound, and which is used in a lithography process. The novolac polymer contains a unit structure that is represented by formula (1). A method for manufacturing a semiconductor device which comprises: a step for forming a resist underlayer film on a semiconductor substrate with use of the resist underlayer film-forming composition of the present invention; a step for forming a hard mask on the resist underlayer film; a step for forming a resist film on the hard mask; a step for forming a resist pattern by means of light or electron beam irradiation and development; a step for etching the hard mask with use of the thus-formed resist pattern; a step for etching the resist underlayer film with use of the patterned hard mask; and a step for processing the semiconductor substrate with use of the patterned resist underlayer film.
(FR)[Problème] Produire un film de sous-couche de réserve qui présente une bonne fonction de masque dur et est capable de former une bonne forme de motif. [Solution] Une composition filmogène de sous-couche de réserve qui contient un polymère novolaque obtenu par réaction entre un composé aromatique ayant un groupe amine secondaire et un composé aldéhyde, et qui est utilisé dans un processus de lithographie. Le polymère novolaque contient une structure unitaire représentée par la formule (1). Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprend : une étape de formation d'un film de sous-couche de réserve sur un substrat semi-conducteur à l'aide de la composition filmogène de sous-couche de réserve de cette invention ; une étape de formation d'un masque dur sur le film de sous-couche de réserve ; une étape de formation d'un film de réserve sur le masque dur ; une étape de formation d'un motif de réserve par rayonnement de lumière ou faisceau d'électrons et développement ; une étape de gravure du masque dur à l'aide du motif de réserve ainsi formé ; une étape de gravure du film de sous-couche de réserve à l'aide du masque dur à motifs ; et une étape de traitement du substrat semi-conducteur à l'aide du film de sous-couche de réserve à motifs.
(JA)【課題】 良好なハードマスク機能を有し、良好なパターン形状を形成することができるレジスト下層膜を提供する。 【解決手段】 第二アミノ基を有する芳香族化合物とアルデヒド化合物との反応により得られるノボラックポリマーを含む、リソグラフィー工程に用いるレジスト下層膜形成組成物。 ノボラックポリマーが式(1): で示される単位構造を含むものである。半導体基板に本発明のレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)