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1. (WO2015098426) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098426    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/081450
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.11.2014
CIB :
H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : KUBO, Masaharu [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : KUBO, Masaharu; (JP).
SAITO, Tadashi; (JP)
Mandataire : YAMAUCHI, Hiroaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-265749 24.12.2013 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a solar cell in which conditions that inhibit improvements in photoelectric conversion efficiency are reduced. [Solution] This solar cell is provided with: a first conductivity type semiconductor substrate (101); a second conductivity type first semiconductor layer (102A) that is formed on the light transmissive surface of the semiconductor substrate (101) and gathers photogenerated carriers based on medium wavelength sunlight; and a second conductivity type second semiconductor layer (102B) that is formed on the light incident surface of the semiconductor substrate (101), gathers photogenerated carriers based on short wavelength sunlight, and also gathers those photogenerated carriers that do not reach the first semiconductor layer (102A) among the photogenerated carriers based on the medium wavelength sunlight.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir une cellule solaire pour laquelle les conditions qui montrent des améliorations de l'efficacité de conversion photoélectrique, sont réduites. La solution proposée consiste en une cellule solaire qui comprend : un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité (101) ; une première couche de semi-conducteur d'un second type de conductivité (102A) qui est formée sur la surface transmettant la lumière du substrat semi-conducteur (101) et comprend des porteurs photogénérés basés sur la lumière du soleil de longueur d'onde intermédiaire ; et une seconde couche de semi-conducteur d'un second type de conductivité (102B) qui est formée sur la surface incidence de lumière du substrat semi-conducteur (101), comprend des porteurs photogénérés basés sur la lumière du soleil de longueur d'onde courte et comprend également ces porteurs photogénérés qui n'atteignent pas la première couche de semi-conducteur (102A) parmi les porteurs photogénérés basés sur la lumière du soleil de longueur d'onde intermédiaire.
(JA)【課題】電変換効率の向上を阻害する事情を低減させた太陽電池を提供することを課題とする。 【解決手段】第一導電型の半導体基板101と、半導体基板101の光透過面に形成されていて中長波長の太陽光線に基づく光生成キャリアを収集する第二導電型の第一半導体層102Aと、半導体基板101の光入射面に形成されていて短波長の太陽光線に基づく光生成キャリアを収集するとともに前記中長波長の太陽光線に基づく光生成キャリアのうち第一半導体層102Aに到達しない光生成キャリアを収集する第二導電型の第二半導体層102Bとを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)