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1. WO2015095672 - INSPECTION À BASE DE CONTEXTE POUR INSPECTION EN FOND NOIR

Numéro de publication WO/2015/095672
Date de publication 25.06.2015
N° de la demande internationale PCT/US2014/071438
Date du dépôt international 19.12.2014
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G06T 2207/30148
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
2207Indexing scheme for image analysis or image enhancement
30Subject of image; Context of image processing
30108Industrial image inspection
30148Semiconductor; IC; Wafer
G06T 7/001
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
7Image analysis
0002Inspection of images, e.g. flaw detection
0004Industrial image inspection
001using an image reference approach
G06T 7/33
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
7Image analysis
30Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration
33using feature-based methods
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
14for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
H01L 22/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Déposants
  • KLA-TENCOR CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • ZHANG, Yong
  • LUO, Tao
  • WU, Chaohong
  • CHEN, Stephanie
  • GAO, Lisheng
Mandataires
  • MCANDREWS, Kevin
Données relatives à la priorité
14/563,84508.12.2014US
61/919,71021.12.2013US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONTEXT-BASED INSPECTION FOR DARK FIELD INSPECTION
(FR) INSPECTION À BASE DE CONTEXTE POUR INSPECTION EN FOND NOIR
Abrégé
(EN)
Methods and systems for detecting defects on a wafer are provided. One method includes altering one or more design clips based on how the one or more design clips will appear in output generated by a wafer inspection process for a wafer. The method also includes aligning the one or more altered design clips to the output generated for the wafer during the wafer inspection process. In addition, the method includes detecting defects on the wafer based on the output aligned to the one or more altered design clips.
(FR)
L'invention concerne des procédés et des systèmes pour détecter des défauts sur une tranche. Un procédé consiste à modifier un ou plusieurs clip(s) de conception en fonction de la manière dont il apparait/ils apparaissent dans une sortie générée par un processus d'inspection de tranche. Le procédé consiste également à aligner le/les clip(s) de conception modifié(s) avec la sortie générée pour la tranche pendant le processus d'inspection de tranche. Le procédé consiste enfin à détecter des défauts sur la tranche en fonction de la sortie alignée avec un ou plusieurs clip(s) de conception modifié(s).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international