(EN) The present invention relates to a high purity diffusion bonded copper (Cu) sputtering targets having a Cu purity level of 99.9999% (6N) or greater. The target assemblies of the present invention exhibit sufficient bond strength and microstructural homogeneity, both of which are properties previously considered mutually exclusive for conventional 6N Cu target assemblies. The grain structure is characterized by an absence of alloying elements and the bonded interface is generally flat without any type of interlayer or interlocking arrangement.
(FR) La présente invention porte sur des cibles de pulvérisation cathodique en cuivre (Cu) de haute pureté soudé par diffusion, ayant un niveau de pureté du Cu supérieur ou égal à 99,9999 % (6N). Les ensembles cibles selon la présente invention présentent une résistance du soudage et une homogénéité de microstructure suffisantes, toutes deux étant des propriétés auparavant considérées comme s'excluant mutuellement pour des ensembles cibles en Cu 6N. La structure des grains est caractérisée par l'absence d'éléments d'alliage et l'interface soudé est généralement plate sans un quelconque type d'intercouche ou d'agencement d'imbrication.