(EN) Provided is a wafer processing method by which a wafer of good processed quality can be divided into individual chips, while improving productivity and reducing cost. This wafer processing method is a method by which a wafer (W) in which are formed regions demarcating a plurality of chips by predetermined dividing lines (14) in a device layer (12) formed on the surface of a semiconductor substrate (10) is divided into individual chips along the predetermined dividing lines, wherein the method includes: a groove formation step for irradiating the wafer, from the side of the surface thereof on which the device layer is formed, with laser light induced by a liquid beam, doing so along the predetermined dividing lines, to eliminate the device layer in the predetermined dividing lines as well as to form grooves (16) in the semiconductor substrate; and a back surface processing step for processing the back surface of the wafer, and reducing the thickness of the wafer.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de plaquette selon lequel une plaquette de bonne qualité traitée peut être divisée en puces individuelles, tout en améliorant la productivité et en réduisant le coût. Ce procédé de traitement de plaquette est un procédé selon lequel une plaquette (W) dans laquelle sont formées des zones délimitant une pluralité de puces par des lignes de division (14) préétablies dans une couche de dispositif (12) formée sur la surface d'un substrat semi-conducteur (10) est divisée en puces individuelles le long des lignes de division préétablies, le procédé consistant : en une étape de formation de sillons permettant d'irradier la plaquette, depuis le côté de sa surface sur laquelle est formée la couche de dispositif, avec de la lumière laser induite par un faisceau liquide, et ce le long des lignes de division préétablies, pour éliminer la couche de dispositif dans les lignes de division préétablies ainsi que pour former des sillons (16) dans le substrat semi-conducteur; et une étape de traitement de surface arrière permettant de traiter la surface arrière de la plaquette, et de réduire l'épaisseur de la plaquette.
(JA) 生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハを個々のチップに分割できるウェーハ加工方法を提供する。本発明のウェーハ加工方法は、半導体基板(10)の表面に形成されたデバイス層(12)に複数のチップが分割予定ライン(14)によって区画された領域に形成されているウェーハ(W)を、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する方法であって、ウェーハのデバイス層が形成される表面側から、液体ビームによって誘導されたレーザー光を分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインにおけるデバイス層を除去するとともに半導体基板に溝(16)を形成する溝形成工程と、ウェーハの裏面を加工して、ウェーハの厚さを薄くする裏面加工工程と、を含む。