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1. WO2015087904 - PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE

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Numéro de publication WO/2015/087904
Date de publication 18.06.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2014/082656
Date du dépôt international 10.12.2014
CIB
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
B23K 26/00 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
B23K 26/146 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
14en utilisant un écoulement de fluide, p.ex. un jet de gaz, associé au faisceau laser; Buses à cet effet
146l'écoulement de fluide contenant un liquide
B23K 26/364 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
36Enlèvement de matière
362Gravure au laser
364pour faire une rainure ou une saignée, p.ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
B23K 26/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
B23K 26/38
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
38by boring or cutting
B23K 26/402
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
402involving non-metallic material, e.g. isolators
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Déposants
  • 株式会社東京精密 TOKYO SEIMITSU CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 野口　俊 NOGUCHI, Shun
  • 千葉　清隆 CHIBA, Kiyotaka
Mandataires
  • 松浦　憲三 MATSUURA, Kenzo
Données relatives à la priorité
2013-25828813.12.2013JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) WAFER PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE
(JA) ウェーハ加工方法
front page image
Abrégé
(EN)
Provided is a wafer processing method by which a wafer of good processed quality can be divided into individual chips, while improving productivity and reducing cost. This wafer processing method is a method by which a wafer (W) in which are formed regions demarcating a plurality of chips by predetermined dividing lines (14) in a device layer (12) formed on the surface of a semiconductor substrate (10) is divided into individual chips along the predetermined dividing lines, wherein the method includes: a groove formation step for irradiating the wafer, from the side of the surface thereof on which the device layer is formed, with laser light induced by a liquid beam, doing so along the predetermined dividing lines, to eliminate the device layer in the predetermined dividing lines as well as to form grooves (16) in the semiconductor substrate; and a back surface processing step for processing the back surface of the wafer, and reducing the thickness of the wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de plaquette selon lequel une plaquette de bonne qualité traitée peut être divisée en puces individuelles, tout en améliorant la productivité et en réduisant le coût. Ce procédé de traitement de plaquette est un procédé selon lequel une plaquette (W) dans laquelle sont formées des zones délimitant une pluralité de puces par des lignes de division (14) préétablies dans une couche de dispositif (12) formée sur la surface d'un substrat semi-conducteur (10) est divisée en puces individuelles le long des lignes de division préétablies, le procédé consistant : en une étape de formation de sillons permettant d'irradier la plaquette, depuis le côté de sa surface sur laquelle est formée la couche de dispositif, avec de la lumière laser induite par un faisceau liquide, et ce le long des lignes de division préétablies, pour éliminer la couche de dispositif dans les lignes de division préétablies ainsi que pour former des sillons (16) dans le substrat semi-conducteur; et une étape de traitement de surface arrière permettant de traiter la surface arrière de la plaquette, et de réduire l'épaisseur de la plaquette.
(JA)
生産性の向上及びコストダウンを図りつつ、良好な加工品質でウェーハを個々のチップに分割できるウェーハ加工方法を提供する。本発明のウェーハ加工方法は、半導体基板（１０）の表面に形成されたデバイス層（１２）に複数のチップが分割予定ライン（１４）によって区画された領域に形成されているウェーハ（Ｗ）を、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する方法であって、ウェーハのデバイス層が形成される表面側から、液体ビームによって誘導されたレーザー光を分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインにおけるデバイス層を除去するとともに半導体基板に溝（１６）を形成する溝形成工程と、ウェーハの裏面を加工して、ウェーハの厚さを薄くする裏面加工工程と、を含む。
Également publié en tant que
JP2015115538
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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