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1. WO2015040727 - DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2015/040727
Date de publication 26.03.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2013/075403
Date du dépôt international 20.09.2013
CIB
H01L 23/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H05K 1/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
H05K 3/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
46Fabrication de circuits multi-couches
CPC
H01L 2223/6627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6605High-frequency electrical connections
6627Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
H01L 2223/6638
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6605High-frequency electrical connections
6638Differential pair signal lines
H01L 2223/6655
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6644Packaging aspects of high-frequency amplifiers
6655Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
H01L 2223/6666
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6661for passive devices
6666for decoupling, e.g. bypass capacitors
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 2224/16235
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
16235the bump connector connecting to a via metallisation of the item
Déposants
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 古後 健治 KOGO, Kenji
  • 中島 規雄 NAKAJIMA, Norio
  • 川本 高司 KAWAMOTO, Takashi
Mandataires
  • 井上 学 INOUE, Manabu
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路装置
Abrégé
(EN)
To obtain satisfactory high-speed signal properties in a semiconductor device handling a plurality of high-speed signals, decreasing fluctuations in the power voltage in operation of the semiconductor chip is important, in addition to implementing measures against high-speed signal crosstalk. For this purpose, low impedance for the power wiring is important. In order to prevent a deterioration of high-speed signal properties, high-speed signal wiring (14) is laid as straight lines on a surface parallel to a semiconductor chip (12) and a package wiring substrate (22). When doing so, no high-speed signal wiring is routed in the corner portions of the chip in order to decrease inter-signal crosstalk at each edge. In each of these spaces, a bypass capacitor is disposed, thus allowing for a semiconductor device having excellent high-speed performance and improved power source quality.
(FR)
L'invention concerne, pour obtenir des propriétés de signal grande vitesse satisfaisantes dans un dispositif à semi-conducteur gérant une pluralité de signaux grande vitesse, la diminution des fluctuations dans la tension d'alimentation électrique en fonctionnement de la puce semi-conductrice, en plus de l'implémentation de mesures contre la diaphonie de signal grande vitesse. A cette fin, une faible impédance pour le câblage électrique est importante. Afin d'empêcher une détérioration de propriétés de signal grande vitesse, un câblage de signal grande vitesse (14) est posé sous la forme de lignes droites sur une surface parallèle à une puce semi-conductrice (12) et à un substrat de câblage de boîtier (22). Ce faisant, aucun câblage de signal grande vitesse est acheminé dans les parties de coin de la puce afin de diminuer la diaphonie inter-signal au niveau de chaque bord. Dans chacun de ces espaces, un condensateur de dérivation est disposé, obtenant ainsi un dispositif à semi-conducteur ayant une excellente performance grande vitesse et une qualité de source d'alimentation électrique améliorée.
(JA)
 複数の高速信号を扱う半導体装置において,良好な高速信号の特性を得るためには,高速信号のクロストーク対策に加え,半導体チップ動作に電源電圧の変動を低減させることが重要である。そのためには,電源配線の低インピーダンスが重要である。 高速信号の特性を劣化させたいため,高速信号配線14は半導体チップ12とパッケージ配線基板22と並列の面に直線的に配線する。この時,各辺の信号間のクロストークを低減させるために,チップの角の部分には高速信号の配線引回しを行わない。そのスペースにバイパスコンデンサを配置し,高速性に優れ,電源品質を向上させた半導体装置を提供する。
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