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1. WO2015039841 - PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2015/039841
Date de publication 26.03.2015
N° de la demande internationale PCT/EP2014/068119
Date du dépôt international 27.08.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 19.06.2015
CIB
C01B 33/035 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
021Préparation
027par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
035par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p.ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p.ex. procédé Siemens
CPC
C01B 33/035
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
035by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
C23C 16/24
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
24Deposition of silicon only
Déposants
  • WACKER CHEMIE AG [DE]/[DE]
Inventeurs
  • MÜLLER, Barbara
  • HÄCKL, Walter
  • STOIBER, Wolfgang
Mandataires
  • KILLINGER, Andreas
Données relatives à la priorité
10 2013 219 070.023.09.2013DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
(EN) PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor enthaltend eine Bodenplatte, ein auf der Bodenplatte befestigtes Reaktoroberteil und wenigstens einen durch direkten Stromdurchgang erhitzten Trägerkörper, auf dem polykristallines Silicium abgeschieden wird, so dass wenigstens ein polykristalliner Siliciumstab erhalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach Beendigung der Abscheidung während des Ausbaus des wenigstens einen polykristallinen Siliciumstabs aus dem Reaktor eine Schutzhülle oder eine Schutzwand seitlich um den Reaktor herum angebracht ist.
(EN)
The invention relates to a process for producing polycrystalline silicon, comprising introducing a reaction gas comprising a silicon-containing component and hydrogen into a reactor comprising a base plate, an upper reactor section secured to the base plate and at least one support body heated by direct passage of current, on which polycrystalline silicon is deposited, such that at least one polycrystalline silicon rod is obtained, wherein, after the deposition has ended, a protective shell or a protective wall is placed laterally around the reactor during the deinstallation of the at least one polycrystalline silicon rod.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour la préparation de silicium polycristallin, comprenant l'introduction d'un gaz de réaction contenant un composant, contenant du silicium, et de l'hydrogène dans un réacteur contenant une plaque de fond, une partie supérieure de réacteur fixée sur la plaque de fond et au moins un corps support chauffé par un passage direct d'un flux, sur lequel le silicium polycristallin est déposé de telle sorte qu'on obtient au moins une barre de silicium polycristallin. Selon l'invention, après la fin du dépôt, pendant l'évacuation de ladite au moins une barre de silicium polycristallin du réacteur, une enveloppe de protection ou une paroi de protection est disposée latéralement autour du réacteur.
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