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1. WO2015025799 - COMPOSITION DE PÂTE ET ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2015/025799
Date de publication 26.02.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2014/071462
Date du dépôt international 15.08.2014
CIB
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01B 1/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
20Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur
22le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
CPC
H01B 1/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
22the conductive material comprising metals or alloys
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
028including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
Déposants
  • 東洋アルミニウム株式会社 TOYO ALUMINIUM KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 辻 孝輔 TSUJI, Kosuke
  • ダムリン マルワン DHAMRIN, Marwan
  • 松原 萌子 MATSUBARA, Moeko
  • 中原 正博 NAKAHARA, Masahiro
  • 和辻 隆 WATSUJI, Takashi
Mandataires
  • 特許業務法人三枝国際特許事務所 SAEGUSA & PARTNERS
Données relatives à la priorité
2013-17280823.08.2013JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PASTE COMPOSITION AND SOLAR CELL ELEMENT
(FR) COMPOSITION DE PÂTE ET ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
(JA) ペースト組成物と太陽電池素子
Abrégé
(EN)
Provided are: a paste composition which is used for the purpose of forming an electrode on the back surface of a silicon semiconductor substrate, and which is capable of increasing open circuit voltage, while suppressing decrease in current density; and a solar cell element which is provided with a backside electrode that is formed using this paste composition. This paste composition is used for the purpose of forming an electrode on the back surface of a silicon semiconductor substrate that constitutes a crystalline silicon solar cell. This paste composition contains an aluminum powder, an Al-B alloy powder, a glass powder and an organic vehicle. The boron concentration in this paste composition is from 0.005% by mass to 0.05% by mass (inclusive).
(FR)
La présente invention concerne : une composition de pâte qui est utilisée dans le but de former une électrode sur la surface arrière d'un substrat semi-conducteur en silicium et qui peut augmenter la tension en circuit ouvert, tout en supprimant une diminution de la densité de courant ; un élément de cellule solaire qui est pourvu d'une électrode sur le côté arrière qui est formée à l'aide de cette composition de pâte. Cette composition de pâte est utilisée dans le but de former une électrode sur la surface arrière d'un substrat semi-conducteur en silicium qui constitue une cellule solaire au silicium cristallin. Cette composition de pâte contient une poudre d'aluminium, une poudre d'alliage Al-B, une poudre de verre et un véhicule organique. La concentration en bore dans cette composition de pâte va de 0,005% en masse à 0,05% en masse (inclus).
(JA)
 シリコン半導体基板の裏面上に電極を形成するために用いられるペースト組成物であって、開放電圧を増大させるとともに、電流密度の減少を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された裏面電極を備えた太陽電池素子を提供する。 当該ペースト組成物は、結晶系シリコン太陽電池を構成するシリコン半導体基板の裏面上に電極を形成するために用いられるペースト組成物であって、アルミニウム粉末、Al-B合金粉末、ガラス粉末、および、有機ビヒクルを含有する。当該ペースト組成物におけるホウ素の濃度は、0.005質量%以上0.05質量%以下である。
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