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1. WO2015022739 - PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2015/022739
Date de publication 19.02.2015
N° de la demande internationale PCT/JP2013/071929
Date du dépôt international 14.08.2013
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01R 31/265
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
265Contactless testing
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
H01L 22/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Déposants
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 木村 嘉伸 KIMURA, Yoshinobu
  • 津野 夏規 TSUNO, Natsuki
  • 太田 洋也 OHTA, Hiroya
  • 山田 廉一 YAMADA, Renichi
  • 濱村 浩孝 HAMAMURA, Hirotaka
  • 大野 俊之 OHNO, Toshiyuki
  • 沖野 泰之 OKINO, Hiroyuki
  • 毛利 友紀 MORI, Yuki
Mandataires
  • 筒井 大和 TSUTSUI, Yamato
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR INSPECTION METHOD, SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体検査方法、半導体検査装置、および半導体素子の製造方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor inspection method using a semiconductor inspection apparatus according to the present invention selectively controls incident energy and a negative potential, causes primary electrons to scan the inspection surface of a wafer, detects secondary electrons, thereby obtaining a first inspection image, and identifies macroscopic defects, stacking faults, basal plane dislocations, and threading dislocations captured in the first inspection image, by means of image processing based on a predetermined threshold value for the magnitude of the secondary electron signal. Further, the semiconductor inspection method selectively controls the incident energy and a positive potential, causes primary electrons to scan the inspection surface of the wafer, detects the secondary electrons, thereby obtaining a second inspection image, and identifies threading screw dislocations captured as dot-like shapes in the second inspection image, by means of image processing based on a predetermined threshold value for the magnitude of the secondary electron signal.
(FR)
La présente invention porte sur un procédé d'inspection de semi-conducteur, à l'aide d'un appareil d'inspection de semi-conducteur, qui consiste à commander sélectivement l'énergie incidente et un potentiel négatif, à amener des électrons primaires à balayer la surface d'inspection d'une plaquette, à détecter des électrons secondaires, de manière à obtenir une première image d'inspection, et à identifier des défauts macroscopiques, des défauts d'empilement, des dislocations dans le plan de base et des dislocations traversantes capturées dans la première image d'inspection, au moyen d'un traitement d'image fondé sur une valeur seuil prédéterminée pour l'amplitude du signal d'électrons secondaires. En outre, le procédé d'inspection de semi-conducteur consiste à commander sélectivement l'énergie incidente et un potentiel positif, à amener des électrons primaires à balayer la surface d'inspection de la plaquette, à détecter les électrons secondaires, de manière à obtenir une seconde image d'inspection, et à identifier des dislocations vis traversantes capturées sous la forme de points dans la seconde image d'inspection, au moyen d'un traitement d'image fondé sur une valeur seuil prédéterminée pour l'amplitude du signal d'électrons secondaires.
(JA)
 半導体検査装置による半導体検査方法において、入射エネルギと負の電位とを選択して制御し、一次電子をウェハの検査面に対して走査し二次電子を検出して第1検査画像を取得し、予め定められた二次電子の信号量の閾値に基づく画像処理により、第1検査画像に含まれるマクロ欠陥と積層欠陥と基底面転位と貫通転位とを判別する。また、入射エネルギと正の電位とを選択して制御し、一次電子をウェハの検査面に対して走査し二次電子を検出して第2検査画像を取得し、予め定められた二次電子の信号量の閾値に基づく画像処理により、第2検査画像に含まれる点形状図形の貫通らせん転位を判別する。
Également publié en tant que
DE1120130073374
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