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1. (WO2014175279) PROCEDE DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/175279    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/061323
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 22.04.2014
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : NAKAHARA, Yoichi; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadashige; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-093865 26.04.2013 JP
Titre (EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an etching method wherein an object to be processed is etched in a processing chamber that has a first electrode and a second electrode which is arranged so as to face the first electrode and on which the object to be processed is placed. This etching method is characterized by having a step wherein: a first high-frequency power is intermittently applied to the first electrode or the second electrode; a second high-frequency power that is lower than the first high-frequency power is applied to the second electrode; a processing gas containing hydrogen bromide (HBr) and oxygen (O2) is supplied into the processing chamber; and a polysilicon film formed on the object to be processed is etched into a mask pattern of a silicon-containing oxide film by plasma that is produced from the processing gas, said mask pattern being patterned by means of a spacer double patterning method.
(FR)L’invention porte sur un procédé de gravure dans lequel un objet à traiter est gravé dans une chambre de traitement qui possède une première électrode et une seconde électrode qui est disposée afin d’être tournée vers la première électrode et sur laquelle l’objet à traiter est placé. Le procédé de gravure est caractérisé par le fait qu’il possède une étape dans laquelle : une première puissance haute fréquence est appliquée de manière intermittente sur la première électrode ou la seconde électrode ; une seconde puissance haute fréquence qui est inférieure à la première puissance haute fréquence est appliquée sur la seconde électrode ; un gaz de traitement contenant du bromure d’hydrogène (HBr) et de l’oxygène est fourni dans la chambre de traitement ; et un film de polysilicium formé sur l’objet à traiter est gravé dans un motif de masque d’un film d’oxyde contenant du silicium par un plasma qui est produit à partir du gaz de traitement, ledit motif de masque étant modélisé au moyen d’un procédé de modélisation double d’espaceur.
(JA) 第1の電極と、該第1の電極に対向して配置され、被処理体を載置する第2の電極とを有する処理室内にて被処理体をエッチングするエッチング方法であって、前記第1の電極又は前記第2の電極のいずれかに第1の高周波電力を間欠的に印加し、前記第2の電極に該第1の高周波電力より低い第2の高周波電力を印加し、前記処理室内に臭化水素HBrと酸素Oとを含む処理ガスを供給し、前記処理ガスから生成されたプラズマにより、被処理体に形成されたポリシリコン膜を、スペーサダブルパターニング法によりパターニングされたシリコン含有酸化膜のマスクパターンにエッチングする、ステップを有することを特徴とするエッチング方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)