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1. (WO2014175201) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE ACTIVE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS UTILISÉE DANS CELUI-CI, FILM DE RÉSERVE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT UN FILM DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/175201    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/061133
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 21.04.2014
CIB :
G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TOMIGA Takamitsu; (JP)
Mandataire : ODAHARA Shuichi; 6F FFTP M0 BLDG., 1250 Takematsu, Minamiashigara-shi, Kanagawa 2500111 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-094548 26.04.2013 JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION USED THEREIN, RESIST FILM, AND ELECTRONIC DEVICE USING RESIST FILM AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSINE ACTIVE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS UTILISÉE DANS CELUI-CI, FILM DE RÉSERVE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT UN FILM DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いる電子デバイス及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a pattern formation method that can form a pattern of good shape. This pattern formation method comprises the following: (a) a step for forming a film from an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing (A) and (B), where (A) is a resin that due to the action of an acid shows an increase in polarity and a decrease in solubility in a developer containing an organic solvent, and (B) is a compound represented by general formula (I) that generates acid by being irradiated with active light or radiation; (b) a step for irradiating the film with active light or radiation; and (c) a step for developing the film that has been irradiated with the active light or radiation using the developer containing the organic solvent.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de motif pouvant former un motif de forme correcte. Ce procédé de formation de motif comprend ce qui suit : (a) une étape de formation d'un film à partir d'une composition de résine active sensible à la lumière ou sensible aux rayonnements contenant (A) et (B), où (A) est une résine qui, sous l'effet de l'action d'un acide, présente une augmentation de polarité et une diminution de solubilité dans un agent de développement contenant un solvant organique, et (B) est un composé représenté par la formule générale (I) qui génère un acide lorsqu'il est exposé à une lumière active ou un rayonnent actif ; (b) une étape d'exposition du film à de la lumière active ou un rayonnent actif ; et (c) une étape de développement du film qui a été exposé à de la lumière active ou un rayonnent actif à l'aide de l'agent de développement contenant le solvant organique.
(JA)本発明は、良好な形状のパターンが形成可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明のパターン形成方法は、(ア)下記(A)及び(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、 (A)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、一般式(I)で表される化合物 (イ)膜に活性光線又は放射線を照射する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて活性光線又は放射線を照射した膜を現像する工程、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)