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1. (WO2014174953) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/174953    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057830
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 20.03.2014
CIB :
H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : KAGA Hiroshi; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; Yusen Iwamoto-cho Bldg. 6F., 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-092613 25.04.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The following steps are used to form a photoelectric conversion layer on a substrate in a single substrate-conveyance operation: a first step in which, as the substrate is heated and conveyed, a first compound semiconductor layer containing indium, gallium, and selenium is formed; a second step in which copper and selenium are evaporated onto the first compound semiconductor layer so as to convert said first compound semiconductor layer into a second compound semiconductor layer that contains copper, indium, gallium, and selenium and has a Cu/(In+Ga) ratio of at least 1; a third step in which indium, gallium, and selenium are evaporated onto the second compound semiconductor layer so as to convert said second compound semiconductor layer into a third compound semiconductor layer that contains copper, indium, gallium, and selenium and has a Cu/(In+Ga) ratio less than 1; and a fourth step in which the third compound semiconductor layer formed in the third step is subjected to a heating/conveyance process while selenium is evaporated onto same. The aforementioned first through fourth steps are performed in a single substrate-conveyance operation.
(FR)Les étapes suivantes sont utilisées pour former une couche de conversion photoélectrique sur un substrat en une seule opération de transport de substrat : une première étape au cours de laquelle, lorsque le substrat est chauffé et transporté, une première couche semi-conductrice de composés contenant de l'indium, du gallium et du sélénium est formée ; une deuxième étape au cours de laquelle du cuivre et du sélénium sont évaporés sur la première couche semi-conductrice de composés de sorte à convertir ladite première couche semi-conductrice de composés en une deuxième couche semi-conductrice de composés qui contient du cuivre, de l'indium, du gallium et du sélénium et qui est dotée d'un rapport Cu/(In+Ga) d'au moins 1 ; une troisième étape au cours de laquelle de l'indium, du gallium et du sélénium sont évaporés sur la deuxième couche semi-conductrice de composés de sorte à convertir ladite deuxième couche semi-conductrice de composés en une troisième couche semi-conductrice de composés qui contient du cuivre, de l'indium, du gallium et du sélénium et qui est dotée d'un rapport Cu/(In+Ga) inférieur à 1 ; et une quatrième étape au cours de laquelle la troisième couche semi-conductrice de composés formée au cours de la troisième étape est soumise à un processus de chauffage/transport tandis que du sélénium est évaporé sur celle-ci. Les première à quatrième étapes susmentionnées sont effectuées en une seule opération de transport de substrat.
(JA) 光電変換層は一度の基板搬送で以下の第1の工程~第4の工程で基板上に形成される。基板を加熱搬送しつつIn、GaおよびSeを含む第1の化合物半導体層を形成する第1の工程と、第1の化合物半導体層へCuおよびSeを蒸着し、第1の化合物半導体層をCu、In、GaおよびSeを含みCu/(In+Ga)比が1以上となる第2の化合物半導体層へ転化する第2の工程と、第2の化合物半導体層へIn、GaおよびSeを蒸着し、第2の化合物半導体層をCu、In、GaおよびSeを含みCu/(In+Ga)比が1未満である第3の化合物半導体層へ転化する第3の工程と、第3の工程で形成した第3の化合物半導体層をSeを蒸着しながら加熱搬送処理する第4の工程を有する。第1の工程~第4の工程は一度の基板搬送でなされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)