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1. (WO2014173038) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/173038    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/081009
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 07.08.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : SUN, Tuo; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310143732.1 23.04.2013 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING SAME, ARRAY SUBSTRATE, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(ZH) 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor, a method of fabricating same, an array substrate comprising the thin film transistor, and an electronic apparatus comprising the thin film transistor or provided with the array substrate. The thin film transistor comprises: a gate, a gate insulating layer, an active layer, a source, and a drain. The active layer is formed of a mixture comprising a semiconductor nanomaterial and a photoresist material. The method of fabricating a thin film transistor comprises: preparing a mixture comprising a semiconductor nanomaterial and a photoresist material; and coating the mixture on a substrate, and forming a patterned active layer through exposure and development.
(FR)La présente invention concerne un transistor en couches minces, un procédé de fabrication correspondant, un substrat de réseau comprenant le transistor en couches minces et un appareil électronique comprenant le transistor en couches minces ou pourvu du substrat de réseau. Le transistor en couches minces comprend : une grille, une couche isolante de grille, une couche active, une source et un drain. La couche active est formée d’un mélange comprenant un nanomatériau semi-conducteur et un matériau photorésistant. Le procédé de fabrication d’un transistor en couches minces comprend : la préparation d’un mélange comprenant un nanomatériau semi-conducteur et un matériau photorésistant ; et l’application du mélange sur un substrat et la formation d’une couche active à motif par exposition et développement.
(ZH)一种薄膜晶体管及其制造方法,包括该薄膜晶体管的阵列基板,以及包括该薄膜晶体管或设有该阵列基板的电子装置。该薄膜晶体管包括:栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极,所述有源层由包括半导体纳米材料和光刻材料的混合物形成。该薄膜晶体管的制造方法,包括:制备包括半导体纳米材料与光刻材料的混合物;将所述混合物涂覆于基板之上,经曝光、显影,形成图案化的有源层。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)