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1. (WO2014168946) INTERPOSEUR À FAIBLE COÛT COMPRENANT UNE COUCHE D'OXYDATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/168946    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/033329
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 08.04.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.01.2015    
CIB :
H01L 23/498 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : GU, Shiqun; (US).
RAY, Urmi; (US).
CHEN, Roawen; (US).
HENDERSON, Brian Matthew; (US).
RADOJCIC, Ratibor; (US).
NOWAK, Matthew; (US).
YU, Nicholas; (US)
Mandataire : LOZA, Julio; Loza & Loza, LLP 305 North Second Avenue, #127 Upland, California 91786 (US)
Données relatives à la priorité :
13/861,086 11.04.2013 US
Titre (EN) LOW COST INTERPOSER COMPRISING AN OXIDATION LAYER
(FR) INTERPOSEUR À FAIBLE COÛT COMPRENANT UNE COUCHE D'OXYDATION
Abrégé : front page image
(EN)Some implementations provide an interposer that includes a substrate, a via in the substrate, and an oxidation layer. The via includes a metal material. The oxidation layer is between the via and the substrate. In some implementations, the substrate is a silicon substrate. In some implementations, the oxidation layer is a thermal oxide formed by exposing the substrate to heat. In some implementations, the oxidation layer is configured to provide electrical insulation between the via and the substrate. In some implementations, the interposer also includes an insulation layer. In some implementations, the insulation layer is a polymer layer. In some implementations, the interposer also includes at least one interconnect on the surface of the interposer. The at least one interconnect is positioned on the surface of the interposer such that the oxidation layer is between the interconnect and the substrate.
(FR)Certains modes de réalisation de la présente invention concernent un interposeur qui comprend un substrat, un trou d'interconnexion dans le substrat et une couche d'oxydation. Le trou d'interconnexion comprend un matériau métallique. La couche d'oxydation est située entre le trou d'interconnexion et le substrat. Selon certains modes de réalisation, le substrat est un substrat de silicium. Selon certains modes de réalisation, la couche d'oxydation est un oxyde thermique formé en exposant le substrat à la chaleur. Selon certains modes de réalisation, la couche d'oxydation est conçue pour fournir une isolation électrique entre le trou d'interconnexion et le substrat. Selon certains modes de réalisation, l'interposeur comprend aussi une couche isolante. Selon certains modes de réalisation, la couche isolante est une couche polymère. Selon certains modes de réalisation, l'interposeur comprend aussi au moins une interconnexion sur la surface de l'interposeur. La ou les interconnexions sont positionnées sur la surface de l'interposeur de sorte que la couche d'oxydation est disposée entre la ou les interconnexions et le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)