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1. (WO2014168677) MÉCANISME D'ISOLATION DE CONTACT DE SUBSTRAT D'OXYDE ENTERRÉ MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/168677    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/014388
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 03.02.2014
CIB :
H01L 21/76 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US)
Inventeurs : CHENG, Kangguo; (US).
DORIS, Bruce B.; (US).
GRENOUILLET, Laurent; (FR).
KHAKIFIROOZ, Ali; (US).
LE TIEC, Yannick C.; (FR).
LIU, Qing; (US).
VINET, Maud; (FR)
Mandataire : SULLIVAN, Sean F.; CANTOR COLBURN LLP 20 Church St., 22nd Floor Hartford, Connecticut 06103-3207 (US)
Données relatives à la priorité :
13/859,013 09.04.2013 US
Titre (EN) THIN BURIED OXIDE SUBSTRATE CONTACT ISOLATION SCHEME
(FR) MÉCANISME D'ISOLATION DE CONTACT DE SUBSTRAT D'OXYDE ENTERRÉ MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor-on-insulator (SOI) device includes defining a shallow trench isolation (STI) structure in an SOI substrate, the SOI substrate including a bulk layer, a buried insulator (BOX) layer over the bulk layer, and an SOI layer over the BOX layer; forming a doped region in a portion of the bulk layer corresponding to a lower location of the STI structure, the doped region extending laterally into the bulk layer beneath the BOX layer; selectively etching the doped region of the bulk layer with respect to undoped regions of the bulk layer such that the lower location of the STI structure undercuts the BOX layer; and filling the STI structure with an insulator fill material.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur sur isolant (SOI) qui consiste à définir une structure d'isolation en tranchée peu profonde (STI) dans un substrat SOI, le substrat SOI comprenant une couche massive, une couche d'isolant enterré (BOX) sur la couche massive et une couche SOI sur la couche BOX ; à former une zone dopée dans une partie de la couche massive correspondant à un emplacement inférieur de la structure STI, la zone dopée s'étendant latéralement dans la couche massive sous la couche BOX ; à graver sélectivement la zone dopée de la couche massive par rapport à des zones non dopées de la couche massive de sorte que l'emplacement inférieur de la structure STI sous-cave la couche BOX ; et à remplir la structure STI d'un matériau de remplissage isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)