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1. (WO2014167286) COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES ET LEUR UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS ÉLECTRO-OPTIQUES OU OPTO-ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/167286    N° de la demande internationale :    PCT/GB2014/050970
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 27.03.2014
CIB :
C07D 339/08 (2006.01), C07D 409/10 (2006.01), C07D 409/12 (2006.01), C07D 409/14 (2006.01), C07D 417/10 (2006.01), C07D 279/24 (2006.01), C07D 279/26 (2006.01), C07F 7/08 (2006.01), C07F 9/53 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : POWER OLEDS LIMITED [GB/GB]; Cumbrian House 84 Cumbrian Gardens London NW2 1EL (GB)
Inventeurs : KATHIRGAMANATHAN, Poopathy; (GB)
Mandataire : LUCAS & CO; 135 Westhall Road Warlingham Surrey CR6 9HJ (GB)
Données relatives à la priorité :
1306365.6 09.04.2013 GB
Titre (EN) HETEROCYCLIC COMPOUNDS AND THEIR USE IN ELECTRO-OPTICAL OR OPTO-ELECTRONIC DEVICES
(FR) COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES ET LEUR UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS ÉLECTRO-OPTIQUES OU OPTO-ÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Compounds exhibiting high hole mobility and/or high glass transition temperatures are provided which are of the formula [Ar1]m[Ar2]n wherein: m is an integer from 1-3 and n is an integer and may be 1 or 2; according to claim 1. The compounds may be used in electron transport layers and may be doped with p-type dopants. They may be incorporated into OLEDs organic photovoltaic devices, imaging members and thin film transistors.
(FR)L'invention porte sur des composés présentant une haute mobilité des trous et/ou de hautes températures de transition vitreuse, lesquels sont représentés par la formule [Ar1]m[Ar2]n, dans laquelle : m représente un nombre entier valant 1 à 3 et n représente un nombre entier et peut valoir 1 ou 2; Ar1 représente un résidu de dibenzo[b,e][1,4]dioxine, de phénoxanthine, de thianthrène, de dibenzo[b,e][1,4]-thiasélénane ou de sélénanthrène ayant une liaison vers Ar2 au niveau d'une ou deux positions choisies parmi les positions de cycle 1 à 4 et 5 à 8 et éventuellement monosubstitué, disubstitué ou polysubstitué par des substituants alkyle en C1-C4, alcoxy en C1-C4, fluoro, phényle ou biphényle, lesquels substituants phényle ou biphényle peuvent être en outre substitués par des substituants alkyle en C1-C4, alcoxy en C1-C4 ou fluoro; et Ar2 représente un résidu issu d'une arylamine dans laquelle les noyaux aryle sont des noyaux phényle, naphtyle ou anthracényle éventuellement substitués par des substituants alkyle en C1-C4, alcoxy en C1-C4 ou fluoro, un système cyclique aromatique polycyclique condensé ou en chaîne contenant éventuellement de l'azote ou du soufre et, dans le cas d'un système cyclique aromatique en chaîne, contenant éventuellement un ou plusieurs atomes d'oxygène ou de soufre dans la chaîne, un oxyde de triarylphosphine ou un arylsilane, les noyaux de l'un quelconque de ceux-ci étant éventuellement substitués par des substituants alkyle en C1-C4, alcoxy en C1-C4 ou fluoro. Les composés peuvent être utilisés dans des couches de transport d'électron et peuvent être dopés avec des dopants de type p. Ils peuvent être incorporés dans des diodes électroluminescentes organiques (DELO), des dispositifs photovoltaïques organiques, des éléments d'imagerie et des transistors en couches minces. Dans d'autres modes de réalisation, l'invention porte sur des DELO ou d'autres dispositifs, par exemple des éléments de formation d'image latente électrostatique dans lesquels une efficacité améliorée est obtenue à l'aide, en tant que couches de transport d'électrons, injecteurs d'électrons, hôtes et émetteurs (dopants), de composés ambipolaires ou transmetteurs électrons dans lesquels un thianthrène est lié à un aryle, par exemple le 1-anthracényl-9-yl-thianthrène, le 1-biphényl-4-yl-thianthrène et le 9,10-bis(1-thianthrényl)anthracène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)