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1. WO2014166146 - FINFET ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2014/166146
Date de publication 16.10.2014
N° de la demande internationale PCT/CN2013/076485
Date du dépôt international 30.05.2013
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 21/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
CPC
H01L 29/66545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66545using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
H01L 29/66795
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66787with a gate at the side of the channel
66795with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
H01L 29/785
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
785having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 朱慧珑 ZHU, Huilong
  • 洪培真 HONG, Peizhen
  • 殷华湘 YIN, Huaxiang
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201310119849.608.04.2013CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) FINFET AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) FINFET ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) FinFET及其制造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a FinFET and manufacturing method for same. One example of the method may comprise: forming a fin on the substrate; forming on the substrate sequential gate conductor layers and gate dielectric layers covering the fin; etching the gate conductor layer on the basis of the gate pattern to be formed, to a point corresponding approximately to the top surface of the fin; forming a first spacer on the sidewall of the etched gate conductor layer; continuously etching the gate conductor layer to form the gate pattern; and, after the continuous etching, forming a second spacer on the sidewall of the gate conductor layer.
(FR)
La présente invention concerne un FinFET et son procédé de fabrication. Un exemple du procédé selon l'invention peut faire appel : à la formation d'un aileron sur le substrat ; à la formation, sur le substrat, de couches conductrices de grille et de couches diélectriques de grille séquentielles recouvrant l'aileron ; à la gravure de la couche conductrice de grille sur la base du motif de grille à former jusqu'à un point qui correspond sensiblement à la surface superficielle de l'aileron ; à la formation d'un premier séparateur sur la paroi latérale de la couche conductrice de grille gravée ; à la gravure continue de la couche conductrice de grille pour former le motif de grille ; et, après la gravure continue, à la formation d'un second séparateur sur la paroi latérale de la couche conductrice de grille.
(ZH)
本申请公开了一种FinFET及其制造方法。一示例方法可以包括:在衬底上形成鳍;在衬底上依次形成覆盖鳍的栅介质层和栅导体层;按照要形成的栅图案,对栅导体层进行刻蚀,其中刻蚀停止于大致与鳍的顶面相对应的位置;在刻蚀后的栅导体层的侧壁上形成第一侧墙;继续刻蚀栅导体层,以形成栅图案;以及在继续刻蚀后的栅导体层的侧壁上形成第二侧墙。
Également publié en tant que
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