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1. (WO2014164983) RÉFLECTEUR TRANSPARENT CONDUCTEUR PERFECTIONNÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/164983    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/024018
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 12.03.2014
CIB :
F21V 9/16 (2006.01)
Déposants : INTERMOLECULAR, INC [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : DING, Guowen; (US).
HU, Jianhua; (US).
LE, Minh Huu; (US)
Mandataire : HELMS, Aubrey L., Jr.; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
61/778,878 13.03.2013 US
Titre (EN) AN IMPROVED CONDUCTIVE TRANSPARENT REFLECTOR
(FR) RÉFLECTEUR TRANSPARENT CONDUCTEUR PERFECTIONNÉ
Abrégé : front page image
(EN)Methods to improve the reflection of light emitting devices are disclosed. A method consistent with the present disclosure includes forming a light generating layer over a site-isolated region of a substrate. Next, forming a first transparent conductive layer over the light generating layer. Forming a low refractive index material over the first transparent conductive layer, and in time, forming a second transparent conductive layer over the low refractive index material. Subsequently, forming a reflective material layer thereon. Accordingly, methods consistent with the present disclosure may form a plurality of light emitting devices in various site-isolated regions on a substrate.
(FR)Des procédés d'amélioration de la réflexion de dispositifs électroluminescents sont divulgués. Un procédé divulgué comprend la formation d'une couche de génération de lumière sur une région isolée du site d'un substrat. Il comprend ensuite, la formation d'une première couche conductrice transparente sur la couche de génération de lumière. Il comporte également la formation d'un matériau à faible indice de réfraction sur la première couche conductrice transparente, et en temps voulu, la formation d'une deuxième couche conductrice transparente sur le matériau à faible indice de réfraction. Par la suite, la formation d'une couche de matériau réfléchissant sur celui-ci. Ainsi, les procédés selon la présente invention peuvent former une pluralité de dispositifs électroluminescents dans diverses régions isolées du site sur un substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)