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1. (WO2014162498) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE METTANT EN ŒUVRE UNE ÉLECTRODE DE GRILLE EN TRANCHÉE

Pub. No.:    WO/2014/162498    International Application No.:    PCT/JP2013/060022
Publication Date: 9 oct. 2014 International Filing Date: 2 avr. 2013
IPC: H01L 29/739
H01L 29/78
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
OKAWARA Jun
大河原 淳
Inventors: OKAWARA Jun
大河原 淳
Title: TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE METTANT EN ŒUVRE UNE ÉLECTRODE DE GRILLE EN TRANCHÉE
Abstract:
La présente invention concerne un transistor IGBT comprenant des électrodes de grille en tranchée incurvées lorsqu'un substrat semi-conducteur est vu en plan. Une région semi-conductrice de côté intérieur présentant une conductivité du même type qu'une région émettrice du substrat semi-conducteur est formée en une position disposée sur un côté intérieur d'une partie incurvée d'une électrode de grille en tranchée orientée vers la surface du substrat semi-conducteur. L'électrode de grille en tranchée est incurvée et de ce fait la densité des trous est accrue à l'état actif, des phénomènes de modulation de conductivité sont activés et la tension à l'état actif diminue. Quand le transistor IGBT est désactivé, la région semi-conductrice de côté intérieur affecte le cheminement des trous de telle façon que les distances sur lesquelles les trous se déplacent dans la région du corps sont réduites. Au moment de la désactivation, les trous sont susceptibles de se retirer vers une région de contact de corps. La structure selon l'invention assure une augmentation de la densité de courant à l'état actif et la prévention du déclenchement parasite.