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1. (WO2014157067) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157067    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/058042
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 24.03.2014
CIB :
H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-6-1, Ote-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150 (JP)
Inventeurs : SUGIYAMA, Toru; (JP).
TSUKIHARA, Masashi; (JP).
MIYOSHI, Kohei; (JP)
Mandataire : UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-073952 29.03.2013 JP
Titre (EN) NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物発光素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a nitride light emitting element which achieves high light extraction efficiency even at a low operating voltage, and which is able to be manufactured by simple processes. A nitride light emitting element (1) comprises, on a supporting substrate (11), an n layer (35), a p layer (31) and a light emitting layer (33) that is formed at a position between the n layer (35) and the p layer (31). The n layer (35) is configured of AlxGa1-xN (0 < x ≤ 1) wherein the carrier concentration is higher than the concentration of doped Si.
(FR)La présente invention concerne un élément électroluminescent au nitrure à haut rendement d'extraction de lumière même à une faible tension de fonctionnement et pouvant être fabriqué par traitements simples. Un élément électroluminescent au nitrure (1) comprend, sur un substrat de support (11), une couche n (35), une couche p (31) et une couche électroluminescente (33) formée à une position située entre la couche n (35) et la couche p (31). La couche n (35) est constituée d'AlxGa1-xN (0 < x ≤ 1), la concentration de porteur étant supérieure à la concentration de Si dopé.
(JA) 低い動作電圧でも、高い光の取り出し効率が実現され、且つ簡易なプロセスにて製造することが可能な窒化物発光素子を実現する。 窒化物発光素子1は、支持基板上11に、n層35と、p層31と、n層35とp層31に挟まれた位置に形成された発光層33を有し、n層35は、キャリア濃度が、ドープされているSi濃度よりも高いAlGa1-xN(0<x≦1)で構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)