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1. (WO2014156756) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, ET PROGRAMME DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156756    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057090
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 17.03.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.01.2015    
CIB :
C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1, Naeshiro-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678561 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601 (JP)
Inventeurs : TAKI, Kazunari; (JP).
SHINODA, Kentaro; (JP).
KANADA, Hideki; (JP).
KOUSAKA, Hiroyuki; (JP).
TAKAOKA, Yasuyuki; (JP)
Mandataire : NEXT INTERNATIONAL; 7th Floor, Daiei Building, 11-20, Nishiki 1-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-069712 28.03.2013 JP
Titre (EN) FILM FORMING DEVICE, FILM FORMING METHOD, AND FILM FORMING PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, ET PROGRAMME DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with: a microwave supplying unit that supplies microwaves for generating plasma along a surface to be treated of conductive material to be worked; a negative voltage application unit that applies to the material to be worked a negative bias voltage that expands a sheath layer along the surface to be treated of the material to be worked; and a control unit that controls the microwave supplying unit and the negative voltage application unit. The microwave supplying unit has a microwave supply opening that makes the supplied microwaves propagate to the sheath layer that has expanded. The control unit controls the microwave supplying unit and the negative voltage application unit such that the sheath thickness of the sheath layer changes during the supplying of the microwaves.
(FR)La présente invention concerne : une unité d’alimentation de micro-ondes qui fournit des micro-ondes pour générer un plasma le long d’une surface à traiter de matériau conducteur à façonner ; une unité d’application de tension négative qui applique au matériau à façonner une tension de polarisation négative qui provoque l'expansion d'une couche de gaine le long de la surface à traiter du matériau à façonner ; et une unité de commande qui commande l’unité d’alimentation de micro-ondes et l’unité d’application de tension négative. L’unité d’alimentation de micro-ondes a une ouverture d’alimentation de micro-ondes qui conduit les micro-ondes fournies à se propager à la couche de gaine ayant subi une expansion. L’unité de commande commande l’unité d’alimentation de micro-ondes et l’unité d’application de tension négative de sorte que l’épaisseur de gaine de la couche de gaine change au cours de l’alimentation des micro-ondes.
(JA) 導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、前記マイクロ波供給部と前記負電圧印加部とを制御する制御部と、を備え、前記マイクロ波供給部は、供給するマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口を有し、前記制御部は、前記マイクロ波の供給中に、前記シース層のシース厚さを変化させるように前記マイクロ波供給部と前記負電圧印加部とを制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)